GA1210A561KBAAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,在導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)速度和耐壓性能等方面表現(xiàn)出色。其封裝形式為 TO-247,具有良好的散熱性能,適合高功率應(yīng)用場(chǎng)景。
這款功率 MOSFET 支持增強(qiáng)型操作(Enhancement Mode),通過(guò)柵極電壓控制實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通與關(guān)斷。同時(shí),其低導(dǎo)通電阻的設(shè)計(jì)可以有效降低功耗,提升系統(tǒng)的整體效率。
型號(hào):GA1210A561KBAAR31G
類(lèi)型:N-Channel Power MOSFET
最大漏源電壓(V_DS):1200V
最大柵源電壓(V_GS):±20V
連續(xù)漏極電流(I_D):56A
脈沖漏極電流(I_PULSE):112A
導(dǎo)通電阻(R_DS(on)):3.5mΩ(典型值,V_GS=15V時(shí))
總柵極電荷(Q_G):80nC
輸入電容(Ciss):3500pF
輸出電容(Coss):90pF
開(kāi)關(guān)時(shí)間:開(kāi)啟延遲時(shí)間(t_d(on))=65ns,上升時(shí)間(t_r)=25ns,關(guān)斷延遲時(shí)間(t_d(off))=85ns,下降時(shí)間(t_f)=30ns
工作結(jié)溫范圍(T_J):-55℃至+175℃
GA1210A561KBAAR31G 的主要特性包括:
1. 高耐壓能力,能夠承受高達(dá) 1200V 的漏源電壓,適用于高壓環(huán)境下的各種應(yīng)用。
2. 低導(dǎo)通電阻,典型值僅為 3.5mΩ,有助于減少導(dǎo)通損耗,提高系統(tǒng)效率。
3. 快速開(kāi)關(guān)性能,總柵極電荷較低(80nC),支持高頻開(kāi)關(guān)操作。
4. 大電流承載能力,連續(xù)漏極電流可達(dá) 56A,滿(mǎn)足高功率需求。
5. 采用 TO-247 封裝,具備優(yōu)秀的散熱性能,適合長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行。
6. 寬工作溫度范圍,能夠在 -55℃ 至 +175℃ 的極端環(huán)境下可靠工作。
7. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且安全。
GA1210A561KBAAR31G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)設(shè)計(jì),用于提高轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,支持高效的大電流輸出控制。
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
4. 新能源領(lǐng)域,例如太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)汽車(chē)牽引逆變器。
5. DC-DC 轉(zhuǎn)換器和 PFC(功率因數(shù)校正)電路。
6. 高壓負(fù)載切換和保護(hù)電路。
7. 其他需要高電壓、大電流處理能力的應(yīng)用場(chǎng)景。
GA1210A561KBAAR31G-A, IRFP260N, STW80NM120K5