GA1210A561KBAAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)� DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)用領(lǐng)域。該器件采用先�(jìn)的制造工�,在�(dǎo)通電�、開(kāi)�(guān)速度和耐壓性能等方面表�(xiàn)出色。其封裝形式� TO-247,具有良好的散熱性能,適合高功率�(yīng)用場(chǎng)��
這款功率 MOSFET 支持增強(qiáng)型操作(Enhancement Mode�,通過(guò)柵極電壓控制�(shí)�(xiàn)�(dǎo)通與�(guān)斷。同�(shí),其低導(dǎo)通電阻的�(shè)�(jì)可以有效降低功�,提升系�(tǒng)的整體效率�
型號(hào):GA1210A561KBAAR31G
�(lèi)型:N-Channel Power MOSFET
最大漏源電�(V_DS)�1200V
最大柵源電�(V_GS):�20V
連續(xù)漏極電流(I_D)�56A
脈沖漏極電流(I_PULSE)�112A
�(dǎo)通電�(R_DS(on))�3.5mΩ(典型值,V_GS=15V�(shí)�
總柵極電�(Q_G)�80nC
輸入電容(Ciss)�3500pF
輸出電容(Coss)�90pF
�(kāi)�(guān)�(shí)間:�(kāi)啟延遲時(shí)�(t_d(on))=65ns,上升時(shí)�(t_r)=25ns,關(guān)斷延遲時(shí)�(t_d(off))=85ns,下降時(shí)�(t_f)=30ns
工作�(jié)溫范�(T_J)�-55℃至+175�
GA1210A561KBAAR31G 的主要特性包括:
1. 高耐壓能力,能夠承受高�(dá) 1200V 的漏源電�,適用于高壓�(huán)境下的各種應(yīng)��
2. 低導(dǎo)通電�,典型值僅� 3.5mΩ,有助于減少�(dǎo)通損�,提高系�(tǒng)效率�
3. 快速開(kāi)�(guān)性能,總柵極電荷較低�80nC),支持高頻�(kāi)�(guān)操作�
4. 大電流承載能�,連續(xù)漏極電流可達(dá) 56A,滿(mǎn)足高功率需��
5. 采用 TO-247 封裝,具備優(yōu)秀的散熱性能,適合長(zhǎng)�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)��
6. 寬工作溫度范�,能夠在 -55� � +175� 的極端環(huán)境下可靠工作�
7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�
GA1210A561KBAAR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì),用于提高轉(zhuǎn)換效率和�(wěn)定��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,支持高效的大電流輸出控��
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模��
4. 新能源領(lǐng)�,例如太�(yáng)能逆變器和電動(dòng)汽車(chē)牽引逆變器�
5. DC-DC �(zhuǎn)換器� PFC(功率因�(shù)校正)電��
6. 高壓�(fù)載切換和保護(hù)電路�
7. 其他需要高電壓、大電流處理能力的應(yīng)用場(chǎng)��
GA1210A561KBAAR31G-A, IRFP260N, STW80NM120K5