GA1210A562FBCAR31G 是一款高性能的功� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(chǎng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),可有效提高系統(tǒng)效率并減少熱損��
此芯片通常以表面貼裝形式封裝,適合自動(dòng)化生�(chǎn)�(huán)�,同�(shí)具備出色的電氣性能和可靠性�
型號(hào):GA1210A562FBCAR31G
類型:N-Channel MOSFET
Vds (漏源極電�)�60V
Rds(on) (�(dǎo)通電�)�4.5mΩ
Id (連續(xù)漏極電流)�78A
Vgs(th) (柵極開啟電壓)�2.2V~4.0V
封裝:TO-Leadless (TOLL)
工作溫度范圍�-55°C ~ +175°C
最大功耗:125W
GA1210A562FBCAR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),有助于降低傳導(dǎo)損�,并提升整體能效�
2. 高額定電流能� Id � 78A,確保在高負(fù)載條件下�(wěn)定運(yùn)行�
3. 支持寬范圍的工作溫度區(qū)�,適用于各種惡劣�(huán)境下的應(yīng)用�
4. 快速開�(guān)能力,減少開�(guān)損耗并改善�(dòng)�(tài)響應(yīng)�
5. 具備良好的靜電防�(hù)能力,提高了�(chǎn)品在�(shí)際使用中的可靠性�
6. 小型化封裝設(shè)�(jì),節(jié)� PCB 空間,滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化和高密度集成的需求�
� MOSFET 芯片適用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器,提供高效的電能�(zhuǎn)換�
2. 電動(dòng)工具及家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換與保護(hù)功能�
4. 汽車電子系統(tǒng)中電池管理和逆變器控制�
5. 大功� LED �(qū)�(dòng)電路以及其他需要高效功率管理的�(yīng)用場(chǎng)��
IRFZ44N
FDP5800
AO3400