GA1210A562FBCAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載切換等場(chǎng)景。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn),可有效提高系統(tǒng)效率并減少熱損耗。
此芯片通常以表面貼裝形式封裝,適合自動(dòng)化生產(chǎn)環(huán)境,同時(shí)具備出色的電氣性能和可靠性。
型號(hào):GA1210A562FBCAR31G
類型:N-Channel MOSFET
Vds (漏源極電壓):60V
Rds(on) (導(dǎo)通電阻):4.5mΩ
Id (連續(xù)漏極電流):78A
Vgs(th) (柵極開啟電壓):2.2V~4.0V
封裝:TO-Leadless (TOLL)
工作溫度范圍:-55°C ~ +175°C
最大功耗:125W
GA1210A562FBCAR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on),有助于降低傳導(dǎo)損耗,并提升整體能效。
2. 高額定電流能力 Id 為 78A,確保在高負(fù)載條件下穩(wěn)定運(yùn)行。
3. 支持寬范圍的工作溫度區(qū)間,適用于各種惡劣環(huán)境下的應(yīng)用。
4. 快速開關(guān)能力,減少開關(guān)損耗并改善動(dòng)態(tài)響應(yīng)。
5. 具備良好的靜電防護(hù)能力,提高了產(chǎn)品在實(shí)際使用中的可靠性。
6. 小型化封裝設(shè)計(jì),節(jié)省 PCB 空間,滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化和高密度集成的需求。
該 MOSFET 芯片適用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,提供高效的電能轉(zhuǎn)換。
2. 電動(dòng)工具及家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換與保護(hù)功能。
4. 汽車電子系統(tǒng)中電池管理和逆變器控制。
5. 大功率 LED 驅(qū)動(dòng)電路以及其他需要高效功率管理的應(yīng)用場(chǎng)景。
IRFZ44N
FDP5800
AO3400