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GA1210A562GXAAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/30 19:55:01 查看 閱讀�14

GA1210A562GXAAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和開�(guān)�(yīng)�。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠顯著降低功耗并提升系統(tǒng)性能�
  該器件屬于溝道增�(qiáng)� MOSFET,適用于各種需要高頻開�(guān)和高效能�(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、逆變器以及負(fù)載開�(guān)��

參數(shù)

類型:功� MOSFET
  封裝:TO-263 (D2PAK)
  耐壓�60V
  �(dǎo)通電阻:4.5mΩ
  最大電流:78A
  柵極電荷�38nC
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  漏源擊穿電壓�60V
  漏源�(dǎo)通電阻(典型值)�4.5mΩ(在 Vgs=10V �(shí)�
  漏源�(dǎo)通電阻(最大值)�5.5mΩ(在 Vgs=10V �(shí)�

特�

GA1210A562GXAAT31G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少功率損�,提高整體系�(tǒng)效率�
  2. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件在過載條件下的可靠��
  3. 快速開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)�,可有效降低開關(guān)損��
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持性能�(wěn)��
  5. 封裝形式� TO-263,便于散熱設(shè)�(jì)且易于集成到�(xiàn)有電路板��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
  這款功率 MOSFET 的設(shè)�(jì)旨在為工程師提供一種兼具高性能與可靠性的解決方案,特別適用于需要緊湊設(shè)�(jì)和高效運(yùn)作的�(yīng)用環(huán)��

�(yīng)�

GA1210A562GXAAT31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開�(guān)管或同步整流��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
  4. 電動(dòng)車和混合�(dòng)力汽車中的電池管理系�(tǒng)(BMS)�
  5. 太陽能逆變器以及其他可再生能源相關(guān)�(shè)��
  6. 各類消費(fèi)電子�(chǎn)品的充電模塊和保�(hù)電路�
  憑借其卓越的性能和靈活�,GA1210A562GXAAT31G 成為眾多�(shè)�(jì)工程師的理想選擇�

替代型號(hào)

IRFZ44N, FDP5500, AON7719

ga1210a562gxaat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容5600 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-