GA1210A562GXAAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和開�(guān)�(yīng)�。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠顯著降低功耗并提升系統(tǒng)性能�
該器件屬于溝道增�(qiáng)� MOSFET,適用于各種需要高頻開�(guān)和高效能�(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、逆變器以及負(fù)載開�(guān)��
類型:功� MOSFET
封裝:TO-263 (D2PAK)
耐壓�60V
�(dǎo)通電阻:4.5mΩ
最大電流:78A
柵極電荷�38nC
工作溫度范圍�-55� � +175�
漏源擊穿電壓�60V
漏源�(dǎo)通電阻(典型值)�4.5mΩ(在 Vgs=10V �(shí)�
漏源�(dǎo)通電阻(最大值)�5.5mΩ(在 Vgs=10V �(shí)�
GA1210A562GXAAT31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少功率損�,提高整體系�(tǒng)效率�
2. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件在過載條件下的可靠��
3. 快速開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)�,可有效降低開關(guān)損��
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持性能�(wěn)��
5. 封裝形式� TO-263,便于散熱設(shè)�(jì)且易于集成到�(xiàn)有電路板��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
這款功率 MOSFET 的設(shè)�(jì)旨在為工程師提供一種兼具高性能與可靠性的解決方案,特別適用于需要緊湊設(shè)�(jì)和高效運(yùn)作的�(yīng)用環(huán)��
GA1210A562GXAAT31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開�(guān)管或同步整流��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
4. 電動(dòng)車和混合�(dòng)力汽車中的電池管理系�(tǒng)(BMS)�
5. 太陽能逆變器以及其他可再生能源相關(guān)�(shè)��
6. 各類消費(fèi)電子�(chǎn)品的充電模塊和保�(hù)電路�
憑借其卓越的性能和靈活�,GA1210A562GXAAT31G 成為眾多�(shè)�(jì)工程師的理想選擇�
IRFZ44N, FDP5500, AON7719