GA1210A562KXAAT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率、高頻開�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該芯片采用先�(jìn)的制造工藝,能夠顯著降低�(dǎo)通和開關(guān)損�,同�(shí)具備出色的熱性能和可靠�。其主要�(yīng)用于電源管理、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開�(guān)等領(lǐng)��
這款器件具有低導(dǎo)通電阻(Rds(on))、快速開�(guān)速度和強(qiáng)大的浪涌電流能力,從而提高了系統(tǒng)的整體效率和�(wěn)定性。此�,該芯片還支持表面貼裝封裝形式,方便自動(dòng)化生�(chǎn)并節(jié)省PCB空間�
型號(hào):GA1210A562KXAAT31G
類型:N-Channel Enhancement Mode MOSFET
最大漏源電�(Vdss)�120V
連續(xù)漏極電流(Id)�14A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�5.6mΩ
柵極電荷(Qg)�48nC
工作溫度范圍�-55°C to +175°C
封裝形式:TO-252(DPAK)
�(jié)溫:175°C
GA1210A562KXAAT31G的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少導(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)景�
3. �(qiáng)大的�(guò)載保�(hù)能力和浪涌電流耐受��
4. 出色的熱性能,確保在高溫�(huán)境下仍能�(wěn)定運(yùn)行�
5. 表面貼裝封裝,簡(jiǎn)化了安裝流程并提升了可靠��
6. 廣泛的工作溫度范圍,適應(yīng)各種惡劣�(huán)境條��
7. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全可靠�
GA1210A562KXAAT31G適用于多種電力電子領(lǐng)域,具體包括�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開�(guān)管或同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的高頻開關(guān)元件�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率開關(guān)�
4. �(fù)載開�(guān)和電池保�(hù)電路�
5. 充電�、適配器以及其他消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率控制組��
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源管理和�(qū)�(dòng)部分�
由于其高效的性能和可靠的品質(zhì),該器件非常適合需要高效率、高可靠性和緊湊�(shè)�(jì)的應(yīng)用場(chǎng)景�
GA1210A590KXAAT31G, IRFZ44N, FDP5580