GA1210A681GBLAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、高耐壓和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠��
該型號屬于溝道增�(qiáng)型MOSFET系列,適用于高頻開關(guān)�(yīng)用場�。其�(shè)�(jì)注重減少開關(guān)損耗并提供卓越的熱性能,適合要求嚴(yán)苛的工業(yè)和汽車電子環(huán)��
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�1200V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�25A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�68mΩ
總功�(Ptot)�400W
�(jié)溫范�(Tj)�-55� to +175�
封裝形式:D2PAK
GA1210A681GBLAT31G 具備以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有效降低傳導(dǎo)損�,提高整體效率�
2. 高擊穿電壓(1200V�,確保在高壓�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
3. 快速開�(guān)能力,支持高頻工作場�,減少開�(guān)損��
4. 出色的熱性能,可承受較高的結(jié)溫范�,增�(qiáng)系統(tǒng)可靠��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足全球市場的法�(guī)要求�
6. 提供�(wěn)健的電氣保護(hù)功能,包括過流保�(hù)和短路保�(hù)�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率級轉(zhuǎn)��
2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
3. 新能源領(lǐng)�,如太陽能逆變器和電動(dòng)汽車充電�(shè)備�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的直�-直流�(zhuǎn)換器�
5. 各種需要高效能功率切換的場�,例如不間斷電源(UPS)系統(tǒng)和電池管理系�(tǒng)(BMS)�
IRFP460, STP12NM60, FQA68P12E