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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1210A681JBCAR31G

GA1210A681JBCAR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/9 15:35:06 查看 閱讀�3

GA1210A681JBCAR31G 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和開�(guān)電路等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于高效率的功率�(zhuǎn)換場(chǎng)��
  該型�(hào)屬于溝道� MOSFET,具體為 N 溝道類型,能夠在高頻工作條件下保持較低的功耗和較高的穩(wěn)定��

參數(shù)

最大漏源電壓:120V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�68A
  �(dǎo)通電阻:1.5mΩ
  總柵極電荷:85nC
  輸入電容�4200pF
  開關(guān)�(shí)間:典型值為 10ns
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

GA1210A681JBCAR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少傳�(dǎo)損�,提升整體效��
  2. 高頻開關(guān)�
  3. 良好的熱性能,能夠承受較高的�(jié)�,確保在�(yán)苛環(huán)境下的可靠��
  4. �(nèi)置反向恢�(fù)二極�,優(yōu)化了同步整流�(yīng)用中的性能�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�

�(yīng)�

該芯片適用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. DC/DC �(zhuǎn)換器
  3. 電動(dòng)工具及家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)
  4. 太陽(yáng)能逆變�
  5. 電動(dòng)汽車充電�
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模�

替代型號(hào)

GA1210A650JBCAR31G, IRF7739, FDP8601

ga1210a681jbcar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容680 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-