GA1210A681JBCAR31G 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和開�(guān)電路等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于高效率的功率�(zhuǎn)換場(chǎng)��
該型�(hào)屬于溝道� MOSFET,具體為 N 溝道類型,能夠在高頻工作條件下保持較低的功耗和較高的穩(wěn)定��
最大漏源電壓:120V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�68A
�(dǎo)通電阻:1.5mΩ
總柵極電荷:85nC
輸入電容�4200pF
開關(guān)�(shí)間:典型值為 10ns
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
GA1210A681JBCAR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少傳�(dǎo)損�,提升整體效��
2. 高頻開關(guān)�
3. 良好的熱性能,能夠承受較高的�(jié)�,確保在�(yán)苛環(huán)境下的可靠��
4. �(nèi)置反向恢�(fù)二極�,優(yōu)化了同步整流�(yīng)用中的性能�
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
該芯片適用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC/DC �(zhuǎn)換器
3. 電動(dòng)工具及家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)
4. 太陽(yáng)能逆變�
5. 電動(dòng)汽車充電�
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模�
GA1210A650JBCAR31G, IRF7739, FDP8601