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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1210A681JXAAT31G

GA1210A681JXAAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/26 13:47:36 查看 閱讀�17

GA1210A681JXAAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,適用于高頻�(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)�。該芯片采用了先�(jìn)的溝槽式 MOSFET 技�(shù),具備低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),從而有效提升系�(tǒng)的效率和可靠��
  該型�(hào)中的部分字母和數(shù)字代表了具體的封裝形�、電氣參�(shù)等級(jí)以及其他定制化信�。例如,前綴 GA 表示�(chǎn)品系��1210 指定為特定的晶圓版本或技�(shù)節(jié)�(diǎn),而后�(xù)字符則定義了具體的電�、電�、工作溫度范圍以及其他規(guī)��

參數(shù)

類型:功� MOSFET
  漏源極電壓(Vds):120V
  連續(xù)漏極電流(Id):10A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):6.8mΩ
  柵極電荷(Qg):50nC
  輸入電容(Ciss):1200pF
  輸出電容(Coss):240pF
  反向傳輸電容(Crss):60pF
  最大功耗(Ptot):15W
  工作�(jié)溫范圍(Tj):-55� � +175�

特�

GA1210A681JXAAT31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),僅� 6.8mΩ,能夠顯著降低傳�(dǎo)損�,特別適合高電流�(yīng)用場(chǎng)��
  2. 快速的�(kāi)�(guān)速度,得益于�(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì),可以有效減少開(kāi)�(guān)損耗并提升整體效率�
  3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的魯棒性和可靠��
  4. 小型化封裝設(shè)�(jì),有助于節(jié)� PCB 空間,同�(shí)改善熱性能�
  5. 支持寬范圍的工作溫度,從 -55� � +175℃,適應(yīng)多種惡劣�(huán)境條��

�(yīng)�

這款功率 MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) 和適配器�(shè)�(jì),提供高效的功率�(zhuǎn)��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中作為主�(kāi)�(guān)或同步整流元件使��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,用于控制各類直流無(wú)刷電�(jī)和步�(jìn)電機(jī)�
  4. 充電器模�,包括手�(jī)快充、筆記本電腦充電器等�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理單元�
  6. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(shè)��

替代型號(hào)

GA1210A682JXAAT31G, IRF1205S, FDP17N12Z

ga1210a681jxaat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容680 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-