GA1210A681JXAAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,適用于高頻�(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)�。該芯片采用了先�(jìn)的溝槽式 MOSFET 技�(shù),具備低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),從而有效提升系�(tǒng)的效率和可靠��
該型�(hào)中的部分字母和數(shù)字代表了具體的封裝形�、電氣參�(shù)等級(jí)以及其他定制化信�。例如,前綴 GA 表示�(chǎn)品系��1210 指定為特定的晶圓版本或技�(shù)節(jié)�(diǎn),而后�(xù)字符則定義了具體的電�、電�、工作溫度范圍以及其他規(guī)��
類型:功� MOSFET
漏源極電壓(Vds):120V
連續(xù)漏極電流(Id):10A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):6.8mΩ
柵極電荷(Qg):50nC
輸入電容(Ciss):1200pF
輸出電容(Coss):240pF
反向傳輸電容(Crss):60pF
最大功耗(Ptot):15W
工作�(jié)溫范圍(Tj):-55� � +175�
GA1210A681JXAAT31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),僅� 6.8mΩ,能夠顯著降低傳�(dǎo)損�,特別適合高電流�(yīng)用場(chǎng)��
2. 快速的�(kāi)�(guān)速度,得益于�(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì),可以有效減少開(kāi)�(guān)損耗并提升整體效率�
3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的魯棒性和可靠��
4. 小型化封裝設(shè)�(jì),有助于節(jié)� PCB 空間,同�(shí)改善熱性能�
5. 支持寬范圍的工作溫度,從 -55� � +175℃,適應(yīng)多種惡劣�(huán)境條��
這款功率 MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) 和適配器�(shè)�(jì),提供高效的功率�(zhuǎn)��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中作為主�(kāi)�(guān)或同步整流元件使��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,用于控制各類直流無(wú)刷電�(jī)和步�(jìn)電機(jī)�
4. 充電器模�,包括手�(jī)快充、筆記本電腦充電器等�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理單元�
6. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(shè)��
GA1210A682JXAAT31G, IRF1205S, FDP17N12Z