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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1210A681JXBAR31G

GA1210A681JXBAR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/28 11:07:30 查看 閱讀�13

GA1210A681JXBAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用了先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),適用于各種電源管理和功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景�
  其主要特�(diǎn)包括出色的熱性能、快速開(kāi)�(guān)速度以及較強(qiáng)的抗浪涌能力。通過(guò)�(yōu)化柵極電荷和閾值電�,這款芯片能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)的整體性能�

參數(shù)

類型:MOSFET
  封裝:TO-252 (DPAK)
  最大漏源電壓(Vds):60V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  持續(xù)漏電流(Id):12A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ
  總柵極電荷(Qg):18nC
  �(kāi)�(guān)速度:快�
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

GA1210A681JXBAR31G 的主要特性如下:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠在高電流條件下減少功率損��
  2. 快速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)�,例如開(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器��
  3. �(yōu)秀的熱�(wěn)定�,即使在高溫�(huán)境下也能保持高效�(yùn)��
  4. �(qiáng)大的抗靜電能力(ESD),提高了產(chǎn)品的可靠性和耐用��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合全球市場(chǎng)的需��
  6. 封裝形式緊湊,便� PCB 布局和散熱設(shè)�(jì)�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換模��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器,用于電壓調(diào)節(jié)和負(fù)載管理�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,特別是在需要高效率和快速響�(yīng)的應(yīng)用中�
  4. 充電器和適配器設(shè)�(jì),提供穩(wěn)定高效的輸出�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制單元�
  6. 汽車電子系統(tǒng),如電池管理系統(tǒng)(BMS)和逆變器�

替代型號(hào)

IRFZ44N
  FDP5501
  AON6949

ga1210a681jxbar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容680 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-