GA1210A681JXBAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用了先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),適用于各種電源管理和功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景�
其主要特�(diǎn)包括出色的熱性能、快速開(kāi)�(guān)速度以及較強(qiáng)的抗浪涌能力。通過(guò)�(yōu)化柵極電荷和閾值電�,這款芯片能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)的整體性能�
類型:MOSFET
封裝:TO-252 (DPAK)
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
持續(xù)漏電流(Id):12A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ
總柵極電荷(Qg):18nC
�(kāi)�(guān)速度:快�
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
GA1210A681JXBAR31G 的主要特性如下:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠在高電流條件下減少功率損��
2. 快速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)�,例如開(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器��
3. �(yōu)秀的熱�(wěn)定�,即使在高溫�(huán)境下也能保持高效�(yùn)��
4. �(qiáng)大的抗靜電能力(ESD),提高了產(chǎn)品的可靠性和耐用��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合全球市場(chǎng)的需��
6. 封裝形式緊湊,便� PCB 布局和散熱設(shè)�(jì)�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換模��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器,用于電壓調(diào)節(jié)和負(fù)載管理�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,特別是在需要高效率和快速響�(yīng)的應(yīng)用中�
4. 充電器和適配器設(shè)�(jì),提供穩(wěn)定高效的輸出�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制單元�
6. 汽車電子系統(tǒng),如電池管理系統(tǒng)(BMS)和逆變器�
IRFZ44N
FDP5501
AON6949