GA1210A821FBBAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率、低功耗的�(yīng)用場(chǎng)景設(shè)�(jì)。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,在保持高可靠性的同時(shí)�(shí)�(xiàn)了較低的�(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)性能。這種器件通常用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各類開關(guān)電路�,能夠有效減少能量損耗并提升系統(tǒng)的整體性能�
該型�(hào)的命名規(guī)則包含了封裝形式、電氣參�(shù)以及�(chǎn)品系列等信息,適合工�(yè)�(jí)及消�(fèi)電子�(lǐng)域的廣泛�(yīng)用�
最大漏源電壓:120V
連續(xù)漏極電流�10A
�(dǎo)通電阻:8.2mΩ
柵極電荷�35nC
輸入電容�1250pF
總功耗:16W
工作溫度范圍�-55℃至175�
GA1210A821FBBAR31G具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于降低傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)能力,使得該芯片非常適合高頻�(yīng)用�
3. 高雪崩耐量和高可靠�,確保在異常條件下也能正常工��
4. 小型化封裝設(shè)�(jì),節(jié)省PCB空間,同�(shí)提供出色的散熱性能�
5. 寬泛的工作溫度范圍,適應(yīng)多種極端�(huán)境下的應(yīng)用需��
這款功率MOSFET廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流元��
2. 電動(dòng)工具、家用電器和工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
3. 汽車電子系統(tǒng),例如電池管理系�(tǒng)、直�-直流�(zhuǎn)換器��
4. 通信電源、太陽能逆變器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(chǎng)合�
由于其優(yōu)秀的電氣特性和�(wěn)定�,GA1210A821FBBAR31G成為了許多高要求�(yīng)用場(chǎng)景的理想選擇�
IRFZ44N
FDP5570
STP10NK60Z