GA1210A821JBAAR31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和功率轉(zhuǎn)換等�(chǎng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于需要高效能和高可靠性的電子�(shè)備中�
該型�(hào)是專門為工�(yè)和消�(fèi)類應(yīng)用設(shè)�(jì)�,能夠承受較高的電壓和電流負(fù)�,并且具備良好的熱穩(wěn)定性和抗干擾能力�
類型:MOSFET
封裝:TO-252 (DPAK)
漏源極擊穿電壓:60V
連續(xù)漏極電流�40A
�(dǎo)通電阻(典型值)�4.5mΩ
柵極電荷�28nC
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
功耗:180W
GA1210A821JBAAR31G 具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻確保了高效的功率傳�,同�(shí)降低了發(fā)熱�
2. 高速開�(guān)性能使得其適合高頻應(yīng)用環(huán)��
3. �(qiáng)大的電流承載能力和耐壓能力使其能夠在惡劣的工作條件下保持穩(wěn)定運(yùn)��
4. 熱增�(qiáng)型封裝設(shè)�(jì)�(yōu)化了散熱效果,延�(zhǎng)了器件的使用壽命�
5. �(nèi)置反向二極管減少了開�(guān)噪聲并提高了系統(tǒng)的可靠��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子產(chǎn)品中�
該芯片適用于多種�(yīng)用領(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換級(jí)�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流或主開關(guān)元件�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率控制部分�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
5. 汽車電子系統(tǒng)中的大電流開�(guān)�
6. LED �(qū)�(dòng)器和電池管理系統(tǒng)(BMS��