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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1210A821JBAAR31G

GA1210A821JBAAR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/29 13:20:23 查看 閱讀�11

GA1210A821JBAAR31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和功率轉(zhuǎn)換等�(chǎng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于需要高效能和高可靠性的電子�(shè)備中�
  該型�(hào)是專門為工�(yè)和消�(fèi)類應(yīng)用設(shè)�(jì)�,能夠承受較高的電壓和電流負(fù)�,并且具備良好的熱穩(wěn)定性和抗干擾能力�

參數(shù)

類型:MOSFET
  封裝:TO-252 (DPAK)
  漏源極擊穿電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�40A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�4.5mΩ
  柵極電荷�28nC
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  功耗:180W

特�

GA1210A821JBAAR31G 具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻確保了高效的功率傳�,同�(shí)降低了發(fā)熱�
  2. 高速開�(guān)性能使得其適合高頻應(yīng)用環(huán)��
  3. �(qiáng)大的電流承載能力和耐壓能力使其能夠在惡劣的工作條件下保持穩(wěn)定運(yùn)��
  4. 熱增�(qiáng)型封裝設(shè)�(jì)�(yōu)化了散熱效果,延�(zhǎng)了器件的使用壽命�
  5. �(nèi)置反向二極管減少了開�(guān)噪聲并提高了系統(tǒng)的可靠��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子產(chǎn)品中�

�(yīng)�

該芯片適用于多種�(yīng)用領(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換級(jí)�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流或主開關(guān)元件�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率控制部分�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
  5. 汽車電子系統(tǒng)中的大電流開�(guān)�
  6. LED �(qū)�(dòng)器和電池管理系統(tǒng)(BMS��

ga1210a821jbaar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容820 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-