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GA1210A821JBLAR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/30 15:23:18 查看 閱讀�15

GA1210A821JBLAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等電力電子應(yīng)用領(lǐng)�。該芯片具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和良好的熱性能,能夠有效提升電路效率并降低功��
  這款器件采用了先�(jìn)的溝槽式MOSFET技�(shù),能夠在高頻工作條件下保持高效能表現(xiàn)。同�(shí),其封裝形式具備出色的散熱能�,適合于對可靠性要求較高的工業(yè)級和消費(fèi)級應(yīng)��

參數(shù)

型號:GA1210A821JBLAR31G
  類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�45A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.5mΩ(典型�,@ Vgs=10V�
  總柵極電�(Qg)�75nC
  輸入電容(Ciss)�4900pF
  輸出電容(Coss)�115pF
  反向恢復(fù)�(shí)�(trr)�45ns
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),有助于減少傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)特�,支持高頻工作條件下的高效運(yùn)��
  3. 先�(jìn)的溝槽式MOSFET�(jié)�(gòu),提供卓越的電氣性能和穩(wěn)定性�
  4. �(qiáng)大的電流承載能力,可滿足大功率應(yīng)用需��
  5. 良好的熱性能�(shè)�(jì),確保在高溫�(huán)境下的可靠運(yùn)行�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合全球市場使用�

�(yīng)�

1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開�(guān)管或同步整流��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率器��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率開關(guān)�
  4. 工業(yè)控制�(shè)備中的功率管理模��
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品如筆記本適配器、LED�(qū)�(dòng)器中的功率元件�
  6. 新能源領(lǐng)域中電池管理系統(tǒng)(BMS)的相�(guān)組件�

替代型號

GA1210A821JBHAR31G, IRF3205, FDP5500

ga1210a821jblar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容820 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定630V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-