GA1210A821JBLAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等電力電子應(yīng)用領(lǐng)�。該芯片具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和良好的熱性能,能夠有效提升電路效率并降低功��
這款器件采用了先�(jìn)的溝槽式MOSFET技�(shù),能夠在高頻工作條件下保持高效能表現(xiàn)。同�(shí),其封裝形式具備出色的散熱能�,適合于對可靠性要求較高的工業(yè)級和消費(fèi)級應(yīng)��
型號:GA1210A821JBLAR31G
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�45A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.5mΩ(典型�,@ Vgs=10V�
總柵極電�(Qg)�75nC
輸入電容(Ciss)�4900pF
輸出電容(Coss)�115pF
反向恢復(fù)�(shí)�(trr)�45ns
工作溫度范圍�-55℃至+175�
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),有助于減少傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)特�,支持高頻工作條件下的高效運(yùn)��
3. 先�(jìn)的溝槽式MOSFET�(jié)�(gòu),提供卓越的電氣性能和穩(wěn)定性�
4. �(qiáng)大的電流承載能力,可滿足大功率應(yīng)用需��
5. 良好的熱性能�(shè)�(jì),確保在高溫�(huán)境下的可靠運(yùn)行�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合全球市場使用�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開�(guān)管或同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率器��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率開關(guān)�
4. 工業(yè)控制�(shè)備中的功率管理模��
5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品如筆記本適配器、LED�(qū)�(dòng)器中的功率元件�
6. 新能源領(lǐng)域中電池管理系統(tǒng)(BMS)的相�(guān)組件�
GA1210A821JBHAR31G, IRF3205, FDP5500