GA1210A821KBBAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,屬于溝槽型 MOSFET 系列。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和優(yōu)秀的熱性能,廣泛應(yīng)用于各種電源管理�(chǎng)景�
該型�(hào)中的 GA 表示其為功率半導(dǎo)體器��1210A 指代具體的封裝形��821K 表示特定的電氣參�(shù)等級(jí),� BBA � T31G 則�(jìn)一步定義了�(chǎn)品的系列和技�(shù)版本�
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�120V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�15A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ
總功�(Ptot)�150W
工作溫度范圍(Tj)�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247-3
GA1210A821KBBAT31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電�,僅� 4.5mΩ,有助于降低�(dǎo)通損�,提升效��
2. 高速開�(guān)能力,具備較低的柵極電荷和輸出電�,適合高頻應(yīng)用�
3. 出色的熱�(wěn)定性設(shè)�(jì),能夠在高溫�(huán)境下保持性能�
4. 增強(qiáng)的雪崩能力和抗靜電能�,提升了器件的可靠��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適用于現(xiàn)代工�(yè)需��
6. 支持大電流負(fù)�,能夠承受高�(dá) 15A 的連續(xù)漏極電流�
該芯片適用于多種電力電子�(lǐng)�,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源(SMPS) 中的主開�(guān)��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率開關(guān)�
4. 逆變器和 UPS 系統(tǒng)中的�(guān)鍵功率元件�
5. 工業(yè)控制�(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模��
6. 太陽(yáng)能微逆變器及其他新能源相�(guān)�(yīng)��
GA1210A822KBBA, IRF840, STP120NF12Z