GA1210A822FBAAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動、DC-DC轉(zhuǎn)換器等場景。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,能夠在高效率下工作并減少能量損耗。
其設(shè)計著重于提升功率密度和系統(tǒng)可靠性,適用于需要高效能與高穩(wěn)定性的電子設(shè)備中。
型號:GA1210A822FBAAR31G
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):15A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.2mΩ
功耗(Ptot):120W
封裝形式:TO-247-3
工作溫度范圍:-55℃ to 175℃
這款 MOSFET 的主要特點是低導(dǎo)通電阻(Rds(on))僅為 2.2mΩ,能夠有效降低導(dǎo)通時的能量損耗。
此外,它具備快速開關(guān)能力,支持高頻操作,適合用于高效率開關(guān)模式電源。
其堅固的設(shè)計允許在極端溫度條件下工作,從 -55°C 到 +175°C,確保了在各種惡劣環(huán)境中的可靠運(yùn)行。
同時,該芯片還具有良好的熱性能,有助于提高整體系統(tǒng)的散熱效率。
GA1210A822FBAAR31G 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS)
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)驅(qū)動與控制
4. 工業(yè)自動化設(shè)備
5. 太陽能逆變器
6. 汽車電子系統(tǒng)
這些應(yīng)用均需要高效的功率轉(zhuǎn)換以及強(qiáng)大的電流承載能力,而這正是該芯片的核心優(yōu)勢所在。
GA1210A822FBAAR32G, IRF840, STP15NF06