GA1210A822FBAAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�、DC-DC�(zhuǎn)換器等場景。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠在高效率下工作并減少能量損耗�
其設(shè)計著重于提升功率密度和系�(tǒng)可靠�,適用于需要高效能與高�(wěn)定性的電子�(shè)備中�
型號:GA1210A822FBAAR31G
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�15A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�2.2mΩ
功�(Ptot)�120W
封裝形式:TO-247-3
工作溫度范圍�-55� to 175�
這款 MOSFET 的主要特點是低導(dǎo)通電阻(Rds(on))僅� 2.2mΩ,能夠有效降低導(dǎo)通時的能量損��
此外,它具備快速開�(guān)能力,支持高頻操�,適合用于高效率開關(guān)模式電源�
其堅固的�(shè)計允許在極端溫度條件下工�,從 -55°C � +175°C,確保了在各種惡劣環(huán)境中的可靠運(yùn)��
同時,該芯片還具有良好的熱性能,有助于提高整體系統(tǒng)的散熱效��
GA1210A822FBAAR31G 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS)
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)動與控制
4. 工業(yè)自動化設(shè)�
5. 太陽能逆變�
6. 汽車電子系統(tǒng)
這些�(yīng)用均需要高效的功率�(zhuǎn)換以及強(qiáng)大的電流承載能力,而這正是該芯片的核心優(yōu)勢所��
GA1210A822FBAAR32G, IRF840, STP15NF06