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GA1210A822KXCAT31G 發(fā)布時間 時間:2025/5/26 13:46:01 查看 閱讀:12

GA1210A822KXCAT31G是一款基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的高效功率晶體管,專為高頻開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計。該器件采用先進(jìn)的封裝工藝,具有高耐壓、低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度等特性,適用于電源管理、無線充電、D類音頻放大器以及其他高頻電力電子領(lǐng)域。
  這款芯片結(jié)合了氮化鎵材料的優(yōu)異性能與現(xiàn)代半導(dǎo)體制造工藝,能夠顯著提升系統(tǒng)效率并減小整體尺寸。

參數(shù)

型號:GA1210A822KXCAT31G
  類型:增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管(e-mode FET)
  材料:氮化鎵(GaN)
  最大漏源電壓(V_DS):650V
  最大柵源電壓(V_GS):+6V/-4V
  連續(xù)漏極電流(I_D):10A
  導(dǎo)通電阻(R_DS(on)):40mΩ(典型值,@ V_GS=6V)
  總柵極電荷(Q_g):75nC(最大值)
  反向恢復(fù)時間(t_rr):小于50ns
  工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
  封裝形式:TO-247-4L

特性

1. 高效開關(guān)性能:得益于GaN材料的低寄生電感和電容特性,此款晶體管能夠在高頻下實現(xiàn)低損耗運(yùn)行。
  2. 快速開關(guān)速度:相比傳統(tǒng)硅基MOSFET,GA1210A822KXCAT31G擁有更快的開關(guān)響應(yīng)時間,從而降低了開關(guān)損耗。
  3. 高功率密度:其緊湊的設(shè)計使得設(shè)備可以支持更高的功率輸出,同時占用更少的空間。
  4. 穩(wěn)定性與可靠性:通過嚴(yán)格的測試流程確保產(chǎn)品在極端條件下的長期穩(wěn)定性和可靠性。
  5. 寬禁帶半導(dǎo)體優(yōu)勢:利用GaN寬禁帶特性,在高溫和高壓環(huán)境下表現(xiàn)優(yōu)異。

應(yīng)用

1. 開關(guān)電源(SMPS):
   - AC/DC轉(zhuǎn)換器
   - DC/DC轉(zhuǎn)換模塊
  2. 電機(jī)驅(qū)動控制:
   - 無刷直流電機(jī)控制器
   - 智能家電中的高效驅(qū)動電路
  3. 充電器及適配器:
   - 快速充電解決方案
   - 筆記本電腦充電器
  4. 無線充電:
   - 高效無線電力傳輸系統(tǒng)
  5. D類音頻放大器:
   - 提供純凈音質(zhì)的同時降低能耗
  6. 新能源汽車:
   - 車載逆變器
   - 電池管理系統(tǒng)中的高效元件

替代型號

GAN063-650WSA
  PSMN0R9-60YL
  IXGH60N65B

ga1210a822kxcat31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容8200 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長 x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-