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GA1210H123JXXAT31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/30 19:58:57 查看 閱讀�13

GA1210H123JXXAT31G 是一款高性能、低功耗的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)動等�(lǐng)域。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備出色的電氣特性和可靠�,能夠滿足多種工�(yè)及消費類電子�(chǎn)品的�(shè)計需��
  這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管,具有較低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,有助于提高整體系統(tǒng)的效率并降低�(fā)熱問��

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  耐壓(Vdss)�120V
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�12mΩ(典型�,Vgs=10V時)
  連續(xù)漏極電流(Id)�40A
  柵極電荷(Qg)�75nC
  輸入電容(Ciss)�2800pF
  總功�(Ptot)�150W
  工作溫度范圍(Top)�-55℃至+175�

特�

GA1210H123JXXAT31G 的主要特點包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少�(dǎo)通損耗,提升系統(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
  3. 高雪崩能量承受能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的魯棒性�
  4. 小型化封裝設(shè)�,便于集成到緊湊型電路板��
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且無鉛�
  6. �(yōu)異的熱性能,確保長時間�(wěn)定運(yùn)��
  這些特性使該器件非常適合需要高效能和高可靠性的電力電子�(shè)��

�(yīng)�

該芯片可�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)的設(shè)�,例如適配器、充電器��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器,用于電壓調(diào)節(jié)和電源管��
  3. 電動工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)動控��
  4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切換�
  5. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和電�(jī)控制�
  由于其卓越的性能和穩(wěn)定�,GA1210H123JXXAT31G 成為許多工程師在相關(guān)項目中的首選解決方案�

替代型號

GA1210H12>IRFZ44N
  FDP5560
  STP40NF12W
  IXYS40N120T2

ga1210h123jxxat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.012 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-