GA1210H123KBAAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動和負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高電流承載能力和出色的熱性能。其封裝形式為TO-263(D2PAK),適用于需要高效能和高可靠性的工業(yè)及消費類電子產(chǎn)品。
這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管,通過柵極電壓控制漏極與源極之間的導(dǎo)通狀態(tài)。由于其優(yōu)秀的電氣特性,GA1210H123KBAAR31G被廣泛應(yīng)用于計算機(jī)、通信設(shè)備、家用電器以及汽車電子系統(tǒng)中。
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流:30A
導(dǎo)通電阻:1.5mΩ
柵極電荷:45nC
輸入電容:1200pF
總功耗:20W
工作溫度范圍:-55℃至+175℃
GA1210H123KBAAR31G具備以下顯著特點:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,可有效降低傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率。
2. 高速開關(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
3. 出色的熱穩(wěn)定性,能夠在極端溫度條件下保持正常運行。
4. 內(nèi)置ESD保護(hù)電路,增強(qiáng)抗靜電能力。
5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)計。
6. 封裝堅固耐用,支持表面貼裝技術(shù)(SMT),便于自動化生產(chǎn)。
該芯片主要應(yīng)用于以下場景:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流元件。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率級開關(guān)。
3. 各種電機(jī)驅(qū)動電路,如步進(jìn)電機(jī)、直流無刷電機(jī)等。
4. 負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路,用于快速切斷異常電流。
5. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理模塊。
6. 工業(yè)控制設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)單元。
IRFZ44N
FDP5500
STP36NF06L