GA1210H123KBAAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動和�(fù)載開�(guān)等應(yīng)用領(lǐng)域。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高電流承載能力和出色的熱性能。其封裝形式為TO-263(D2PAK�,適用于需要高效能和高可靠性的工業(yè)及消費類電子�(chǎn)��
這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體�,通過柵極電壓控制漏極與源極之間的�(dǎo)通狀�(tài)。由于其�(yōu)秀的電氣特�,GA1210H123KBAAR31G被廣泛應(yīng)用于計算�(jī)、通信�(shè)�、家用電器以及汽車電子系�(tǒng)��
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�30A
�(dǎo)通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�45nC
輸入電容�1200pF
總功耗:20W
工作溫度范圍�-55℃至+175�
GA1210H123KBAAR31G具備以下顯著特點�
1. 極低的導(dǎo)通電�,可有效降低傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)境�
3. 出色的熱�(wěn)定�,能夠在極端溫度條件下保持正常運��
4. �(nèi)置ESD保護(hù)電路,增�(qiáng)抗靜電能��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)��
6. 封裝堅固耐用,支持表面貼裝技�(shù)(SMT�,便于自動化生產(chǎn)�
該芯片主要應(yīng)用于以下場景�
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流元件�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率級開�(guān)�
3. 各種電機(jī)�(qū)動電路,如步�(jìn)電機(jī)、直流無刷電�(jī)��
4. �(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路,用于快速切斷異常電��
5. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理模塊�
6. 工業(yè)控制�(shè)備中的功率調(diào)節(jié)單元�
IRFZ44N
FDP5500
STP36NF06L