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GA1210H123KBAAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/24 19:52:26 查看 閱讀�16

GA1210H123KBAAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高頻開�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制�,具有低�(dǎo)通電阻、快速開�(guān)速度和高耐壓能力等優(yōu)�(diǎn),適用于多種電源管理和電�(jī)�(qū)�(dòng)�(chǎng)��
  這款功率MOSFET的主要特�(diǎn)包括出色的能效表�(xiàn)、低開關(guān)損耗以及強(qiáng)大的熱性能。其封裝形式緊湊,便于在空間受限的應(yīng)用中使用,同�(shí)支持表面貼裝技�(shù)(SMT),適合大�(guī)模自�(dòng)化生�(chǎn)�

參數(shù)

類型:功率MOSFET
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.5mΩ
  漏源極擊穿電�(Vds)�60V
  柵極閾值電�(Vgs(th))�2V~4V
  連續(xù)漏極電流(Id)�120A
  封裝形式:TO-263(D2PAK)
  工作溫度范圍�-55℃~175�

特�

GA1210H123KBAAT31G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電�(Rds(on))使其在高電流�(yīng)用中表現(xiàn)出色,能夠有效降低傳�(dǎo)損��
  2. 快速的開關(guān)速度減少了開�(guān)過程中的能量損耗,從而提高了整體效率�
  3. 高漏源極擊穿電壓(Vds)確保了器件在高壓�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
  4. �(qiáng)大的散熱性能允許更高的功率密度和更長(zhǎng)的使用壽��
  5. 支持表面貼裝技�(shù)(SMT),簡(jiǎn)化了生產(chǎn)工藝并提高了可靠��
  6. 廣泛的工作溫度范圍使其能夠在極端�(huán)境下保持�(wěn)定性能�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的場(chǎng)合,包括但不限于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)�(shè)�(jì),如AC-DC適配�、充電器��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,用于家用電�、工�(yè)�(shè)備及電動(dòng)工具�
  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS),特別是在電�(dòng)汽車和儲(chǔ)能系�(tǒng)��
  4. 通信電源模塊,提供穩(wěn)定可靠的供電方案�
  5. DC-DC�(zhuǎn)換器,用于便攜式電子�(shè)備和汽車電子系統(tǒng)�

替代型號(hào)

GA1210H122KBAT31G, IRF3205, FDP5800

ga1210h123kbaat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.012 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-