GA1210H123KBAAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高頻開�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制�,具有低�(dǎo)通電阻、快速開�(guān)速度和高耐壓能力等優(yōu)�(diǎn),適用于多種電源管理和電�(jī)�(qū)�(dòng)�(chǎng)��
這款功率MOSFET的主要特�(diǎn)包括出色的能效表�(xiàn)、低開關(guān)損耗以及強(qiáng)大的熱性能。其封裝形式緊湊,便于在空間受限的應(yīng)用中使用,同�(shí)支持表面貼裝技�(shù)(SMT),適合大�(guī)模自�(dòng)化生�(chǎn)�
類型:功率MOSFET
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.5mΩ
漏源極擊穿電�(Vds)�60V
柵極閾值電�(Vgs(th))�2V~4V
連續(xù)漏極電流(Id)�120A
封裝形式:TO-263(D2PAK)
工作溫度范圍�-55℃~175�
GA1210H123KBAAT31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�(Rds(on))使其在高電流�(yīng)用中表現(xiàn)出色,能夠有效降低傳�(dǎo)損��
2. 快速的開關(guān)速度減少了開�(guān)過程中的能量損耗,從而提高了整體效率�
3. 高漏源極擊穿電壓(Vds)確保了器件在高壓�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
4. �(qiáng)大的散熱性能允許更高的功率密度和更長(zhǎng)的使用壽��
5. 支持表面貼裝技�(shù)(SMT),簡(jiǎn)化了生產(chǎn)工藝并提高了可靠��
6. 廣泛的工作溫度范圍使其能夠在極端�(huán)境下保持�(wěn)定性能�
該芯片廣泛應(yīng)用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的場(chǎng)合,包括但不限于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)�(shè)�(jì),如AC-DC適配�、充電器��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,用于家用電�、工�(yè)�(shè)備及電動(dòng)工具�
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS),特別是在電�(dòng)汽車和儲(chǔ)能系�(tǒng)��
4. 通信電源模塊,提供穩(wěn)定可靠的供電方案�
5. DC-DC�(zhuǎn)換器,用于便攜式電子�(shè)備和汽車電子系統(tǒng)�
GA1210H122KBAT31G, IRF3205, FDP5800