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GA1210H123KBAAT31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/24 19:52:26 查看 閱讀:16

GA1210H123KBAAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高頻開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝制造,具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和高耐壓能力等優(yōu)點(diǎn),適用于多種電源管理和電機(jī)驅(qū)動(dòng)場(chǎng)景。
  這款功率MOSFET的主要特點(diǎn)包括出色的能效表現(xiàn)、低開關(guān)損耗以及強(qiáng)大的熱性能。其封裝形式緊湊,便于在空間受限的應(yīng)用中使用,同時(shí)支持表面貼裝技術(shù)(SMT),適合大規(guī)模自動(dòng)化生產(chǎn)。

參數(shù)

類型:功率MOSFET
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.5mΩ
  漏源極擊穿電壓(Vds):60V
  柵極閾值電壓(Vgs(th)):2V~4V
  連續(xù)漏極電流(Id):120A
  封裝形式:TO-263(D2PAK)
  工作溫度范圍:-55℃~175℃

特性

GA1210H123KBAAT31G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))使其在高電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色,能夠有效降低傳導(dǎo)損耗。
  2. 快速的開關(guān)速度減少了開關(guān)過程中的能量損耗,從而提高了整體效率。
  3. 高漏源極擊穿電壓(Vds)確保了器件在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。
  4. 強(qiáng)大的散熱性能允許更高的功率密度和更長(zhǎng)的使用壽命。
  5. 支持表面貼裝技術(shù)(SMT),簡(jiǎn)化了生產(chǎn)工藝并提高了可靠性。
  6. 廣泛的工作溫度范圍使其能夠在極端環(huán)境下保持穩(wěn)定性能。

應(yīng)用

該芯片廣泛應(yīng)用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的場(chǎng)合,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)設(shè)計(jì),如AC-DC適配器、充電器等。
  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,用于家用電器、工業(yè)設(shè)備及電動(dòng)工具。
  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS),特別是在電動(dòng)汽車和儲(chǔ)能系統(tǒng)中。
  4. 通信電源模塊,提供穩(wěn)定可靠的供電方案。
  5. DC-DC轉(zhuǎn)換器,用于便攜式電子設(shè)備和汽車電子系統(tǒng)。

替代型號(hào)

GA1210H122KBAT31G, IRF3205, FDP5800

ga1210h123kbaat31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容0.012 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-