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GA1210H123KBXAR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 19:32:34 查看 閱讀�8

GA1210H123KBXAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于高效率開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開�(guān)等場(chǎng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,在保證低導(dǎo)通電阻的同時(shí),具有出色的開關(guān)特性和熱性能。其封裝形式緊湊,適合對(duì)空間要求較高的設(shè)�(jì)�(huán)��
  這款器件通常被用于需要高效能和高可靠性的�(yīng)用場(chǎng)�,例如工�(yè)�(shè)備、通信電源以及消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理部��

參數(shù)

型號(hào):GA1210H123KBXAR31G
  類型:N-Channel MOSFET
  額定電壓�120V
  額定電流�45A
  �(dǎo)通電阻:2.5mΩ(典型�,@Vgs=10V�
  柵極電荷�75nC
  總功耗:180W
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-263(D2PAK�

特�

GA1210H123KBXAR31G具有非常低的�(dǎo)通電�,從而能夠顯著降低傳�(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。此�,其�(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì)使其具備快速的開關(guān)速度,可以減少開�(guān)損��
  該芯片還具備較強(qiáng)的雪崩能力和熱穩(wěn)定性,能夠在惡劣的工作條件下保持穩(wěn)定運(yùn)�。同�(shí),它支持高頻操作,非常適合現(xiàn)代電力電子設(shè)備的需��
  其堅(jiān)固的�(shè)�(jì)也確保了在各種復(fù)雜應(yīng)用場(chǎng)景下的可靠性,包括但不限于短路保護(hù)和過溫保�(hù)功能。這些特點(diǎn)使得GA1210H123KBXAR31G成為許多高性能�(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于多種�(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�,如AC-DC適配器和USB-PD充電��
  2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電��
  3. 高效�(fù)載開�(guān)和電池管理系�(tǒng)�
  4. 通信基站電源模塊�
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的電源管理和配電單元�
  由于其出色的電氣性能和可靠性,GA1210H123KBXAR31G特別適合那些需要在高效�、高溫和高頻率環(huán)境下工作的應(yīng)用�

替代型號(hào)

IRFZ44N
  FDP5500
  STP120NF10L

ga1210h123kbxar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.012 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-