GA1210H123KBXAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)景。該芯片采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效率并降低功耗�
這款器件通常被用作同步整流器中的開關(guān)元件或負(fù)載開�(guān),其�(shè)�(jì)注重高可靠性和�(wěn)定�,能夠在惡劣的工作環(huán)境下保持正常�(yùn)行�
類型:功� MOSFET
封裝形式:TO-252 (DPAK)
最大漏源電�(Vds)�120V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�10A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�12mΩ(典型�,Vgs=10V�
總柵極電�(Qg)�48nC
輸入電容(Ciss)�1390pF
反向恢復(fù)�(shí)�(trr)�65ns
工作溫度范圍�-55℃至+175�
GA1210H123KBXAT31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),可有效減少傳導(dǎo)損�,提升整體效率�
2. 快速的開關(guān)速度和較低的柵極電荷 Qg,有助于降低開關(guān)損��
3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)在異常條件下的耐受性�
4. 寬廣的工作溫度范�,適�(yīng)多種�(fù)雜環(huán)��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
6. �(nèi)� ESD 保護(hù)電路,提高芯片的魯棒��
這些特性使 GA1210H123KBXAT31G 成為高頻功率�(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�
GA1210H123KBXAT31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器,包括降壓、升壓及正負(fù)�(zhuǎn)換拓?fù)�?br> 3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開�(guān)�
4. LED 照明�(qū)�(dòng)電路�
5. 工業(yè)控制�(shè)備中的功率管理模塊�
6. 通信電源和服�(wù)器電源系�(tǒng)�
由于其優(yōu)異的性能表現(xiàn),這款功率 MOSFET 在追求高效率和小尺寸的設(shè)�(jì)中備受青��
GA1210H123KBXAT31GR, IRFZ44N, FDP5570