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時(shí)間：2025/5/29 13:21:35
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GA1210H123KBXAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場(chǎng)景。該芯片采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點(diǎn)，能夠顯著提高系統(tǒng)的效率并降低功耗。
這款器件通常被用作同步整流器中的開關(guān)元件或負(fù)載開關(guān)，其設(shè)計(jì)注重高可靠性和穩(wěn)定性，能夠在惡劣的工作環(huán)境下保持正常運(yùn)行。
類型：功率 MOSFET
封裝形式：TO-252 (DPAK)
最大漏源電壓(Vds)：120V
最大柵源電壓(Vgs)：±20V
連續(xù)漏極電流(Id)：10A
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：12mΩ（典型值，Vgs=10V）
總柵極電荷(Qg)：48nC
輸入電容(Ciss)：1390pF
反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：65ns
工作溫度范圍：-55℃至+175℃
GA1210H123KBXAT31G 具有以下顯著特性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on)，可有效減少傳導(dǎo)損耗，提升整體效率。
2. 快速的開關(guān)速度和較低的柵極電荷 Qg，有助于降低開關(guān)損耗。
3. 高雪崩能量能力，增強(qiáng)在異常條件下的耐受性。
4. 寬廣的工作溫度范圍，適應(yīng)多種復(fù)雜環(huán)境。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，綠色環(huán)保。
6. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)電路，提高芯片的魯棒性。
這些特性使 GA1210H123KBXAT31G 成為高頻功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇。
GA1210H123KBXAT31G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器，包括降壓、升壓及正負(fù)轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?br> 3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開關(guān)。
4. LED 照明驅(qū)動(dòng)電路。
5. 工業(yè)控制設(shè)備中的功率管理模塊。
6. 通信電源和服務(wù)器電源系統(tǒng)。
由于其優(yōu)異的性能表現(xiàn)，這款功率 MOSFET 在追求高效率和小尺寸的設(shè)計(jì)中備受青睞。
GA1210H123KBXAT31GR, IRFZ44N, FDP5570
