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GA1210H123KBXAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/29 13:21:35 查看 閱讀�16

GA1210H123KBXAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)景。該芯片采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效率并降低功耗�
  這款器件通常被用作同步整流器中的開關(guān)元件或負(fù)載開�(guān),其�(shè)�(jì)注重高可靠性和�(wěn)定�,能夠在惡劣的工作環(huán)境下保持正常�(yùn)行�

參數(shù)

類型:功� MOSFET
  封裝形式:TO-252 (DPAK)
  最大漏源電�(Vds)�120V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�10A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�12mΩ(典型�,Vgs=10V�
  總柵極電�(Qg)�48nC
  輸入電容(Ciss)�1390pF
  反向恢復(fù)�(shí)�(trr)�65ns
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

GA1210H123KBXAT31G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),可有效減少傳導(dǎo)損�,提升整體效率�
  2. 快速的開關(guān)速度和較低的柵極電荷 Qg,有助于降低開關(guān)損��
  3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)在異常條件下的耐受性�
  4. 寬廣的工作溫度范�,適�(yīng)多種�(fù)雜環(huán)��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
  6. �(nèi)� ESD 保護(hù)電路,提高芯片的魯棒��
  這些特性使 GA1210H123KBXAT31G 成為高頻功率�(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

GA1210H123KBXAT31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器,包括降壓、升壓及正負(fù)�(zhuǎn)換拓?fù)�?br>  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開�(guān)�
  4. LED 照明�(qū)�(dòng)電路�
  5. 工業(yè)控制�(shè)備中的功率管理模塊�
  6. 通信電源和服�(wù)器電源系�(tǒng)�
  由于其優(yōu)異的性能表現(xiàn),這款功率 MOSFET 在追求高效率和小尺寸的設(shè)�(jì)中備受青��

替代型號(hào)

GA1210H123KBXAT31GR, IRFZ44N, FDP5570

ga1210h123kbxat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.012 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-