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GA1210H124JBAAR31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶體管，專為高效率和低功耗應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，具有較低的導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，非常適合用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動等場景。
其封裝形式為 TO-263（D2PAK），能夠提供卓越的散熱性能和電氣穩(wěn)定性。
型號：GA1210H124JBAAR31G
類型：N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓（Vds）：120V
最大柵源電壓（Vgs）：±20V
連續(xù)漏極電流（Id）：16A
導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：8.5mΩ（典型值，在Vgs=10V時(shí)）
柵極電荷（Qg）：47nC
輸入電容（Ciss）：2250pF
反向恢復(fù)時(shí)間（trr）：小于50ns
工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C
1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on)，有助于減少導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)效率。
2. 快速開關(guān)特性，支持高頻操作，適用于高效能轉(zhuǎn)換器。
3. 高額定漏源電壓 Vds，保證在高壓環(huán)境下可靠運(yùn)行。
4. 具備良好的熱穩(wěn)定性，適應(yīng)工業(yè)級和汽車級應(yīng)用場景。
5. 封裝形式為 TO-263，易于安裝并提供出色的散熱能力。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的功率開關(guān)元件。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器及逆變器的核心功率器件。
3. 電機(jī)驅(qū)動電路中的開關(guān)控制元件。
4. 各種工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切換。
5. 汽車電子系統(tǒng)的功率管理模塊。
6. 可再生能源領(lǐng)域如太陽能微逆變器中的關(guān)鍵組件。
IRFZ44N, FQP16N12, STP16NF06
