時間：2025/5/29 0:08:41
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GA1210H154JBXAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片，專為高效率和高可靠性應(yīng)用場景設(shè)計(jì)。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)特性和優(yōu)秀的熱性能。其廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動、工業(yè)自動化以及消費(fèi)類電子產(chǎn)品中。
型號：GA1210H154JBXAT31G
類型：N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(Vdss)：120V
連續(xù)漏極電流(Id)：30A
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：3.5mΩ
柵極電荷(Qg)：75nC
總功耗(Ptot)：180W
工作溫度范圍(Ta)：-55°C 至 +175°C
封裝形式：TO-247
GA1210H154JBXAT31G 提供了出色的電氣性能和可靠性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻確保了在大電流應(yīng)用中的高效運(yùn)行，減少了功率損耗。
2. 快速的開關(guān)速度降低了開關(guān)過程中的能量損失，提高了系統(tǒng)的整體效率。
3. 優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性使其能夠在極端溫度條件下保持穩(wěn)定性能。
4. 高擊穿電壓保證了在高壓環(huán)境下的安全運(yùn)行。
5. 良好的靜電防護(hù)設(shè)計(jì)增強(qiáng)了產(chǎn)品的耐用性。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
該功率MOSFET適用于多種場景，包括但不限于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
2. 電動工具及家用電器中的電機(jī)驅(qū)動電路。
3. 工業(yè)控制設(shè)備中的負(fù)載切換。
4. 新能源系統(tǒng)如太陽能逆變器中的功率管理。
5. 汽車電子中的DC/DC轉(zhuǎn)換器和啟停系統(tǒng)。
6. 數(shù)據(jù)中心和通信設(shè)備中的高效電源解決方案。
IRFZ44N
STP30NF10
FDP55N10
IXFN42N10T2
