GA1210H154MBAAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)動和�(fù)載切換等場景。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度以及出色的熱性能。其封裝形式� TO-263(D2PAK),適合高電流密度的�(yīng)用環(huán)��
該型號屬� N 溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管,適用于各種需要高效能�(zhuǎn)換和�(wěn)定輸出的電子電路�(shè)�。憑借其�(yōu)異的電氣特性和可靠性,它在工業(yè)控制、消�(fèi)電子及汽車電子領(lǐng)域都有廣泛應(yīng)��
類型:N溝道增強(qiáng)� MOSFET
封裝:TO-263 (D2PAK)
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�70A
柵極-源極電壓:�20V
�(dǎo)通電阻:1.5mΩ
總功耗:165W
工作溫度范圍�-55� � +175�
存儲溫度范圍�-65� � +150�
GA1210H154MBAAT31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))僅� 1.5mΩ,可顯著降低傳導(dǎo)損耗,提高效率�
2. 高額定電流能力,支持高達(dá) 70A 的連續(xù)漏極電流,滿足大功率�(yīng)用需求�
3. 快速開�(guān)性能,有助于減少開關(guān)損耗并改善動態(tài)響應(yīng)�
4. �(qiáng)大的散熱�(shè)�,能夠承受更高的�(jié)�,提升系�(tǒng)的可靠性和�(wěn)定��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代化電子�(chǎn)品中�
6. 寬泛的工作溫度范圍(-55� � +175℃),適�(yīng)多種惡劣�(huán)境條��
這款功率 MOSFET 主要用于以下場景�
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流器或主開關(guān)�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的高頻開關(guān)元件�
3. 電機(jī)�(qū)動電路中的功率級組件�
4. 各類�(fù)載切換和保護(hù)電路�
5. 汽車電子系統(tǒng),例如電池管理系�(tǒng)(BMS�、電動助力轉(zhuǎn)向(EPS)以及逆變��
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊�
IRF7849PBF
FDP16N60E
STP70NF06L