GA1210H154MXAAR31G是一款高性能的功率MOSFET器件,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動以及負(fù)載開�(guān)等場�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度和高電流承載能力等優(yōu)�(diǎn),能夠顯著提升電路效率并降低功��
其封裝形式為TO-263(DPAK),適合表面貼裝技�(shù)(SMT�,便于大�(guī)模自動化生產(chǎn)。此�,該器件還具備良好的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定工作�
型號:GA1210H154MXAAR31G
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電�(V_DS)�120V
最大柵源電�(V_GS):�20V
最大連續(xù)漏極電流(I_D)�18A
最大脈沖漏極電�(I_P)�50A
�(dǎo)通電�(R_DS(on))�9.5mΩ(在V_GS=10V時)
總柵極電�(Q_G)�65nC
輸入電容(Ciss)�2000pF
輸出電容(Coss)�550pF
反向傳輸電容(Crss)�75pF
�(jié)溫范�(T_J)�-55°C�+175°C
封裝:TO-263(DPAK�
GA1210H154MXAAR31G具有以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(R_DS(on)�,能夠有效減少傳�(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)速度,支持高頻應(yīng)用,適合�(xiàn)代高效能開關(guān)電源�(shè)��
3. 高電流承載能�,確保在大功率應(yīng)用場景下的可靠��
4. 良好的熱性能,使其能夠在較高溫度范圍�(nèi)持續(xù)�(wěn)定工��
5貼裝技�(shù),簡化了PCB�(shè)計與生產(chǎn)流程�
6. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,提高了器件的魯棒�,降低了失效�(fēng)險�
7. 寬廣的工作電壓范�,適用于多種類型的電力電子設(shè)��
GA1210H154MXAAR31G適用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流元件�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率級開�(guān),例如降�、升壓及升降壓拓?fù)�?br> 3. 電機(jī)�(qū)動電路中的半橋或全橋配置�
4. 各類�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路,用于動�(tài)�(diào)節(jié)�(fù)載狀�(tài)�
5. 工業(yè)控制和汽車電子中的高功率開關(guān)�(yīng)��
6. 可再生能源系�(tǒng)中的逆變器和功率�(zhuǎn)換模��
由于其出色的電氣性能和可靠性,該器件非常適合需要高效能、高�(wěn)定性的電力電子�(shè)��
GA1210H154MXAAR31G-A, GA1210H154MXAAR31G-B, IRFZ44N, FDP5500