GA1210H184JBXAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。該器件采用先進的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,能夠在高頻工作條件下提供高效的性能表現(xiàn)�
此型號屬于增強型N溝道MOSFET,適合在大電流環(huán)境下使用,并且能夠顯著降低系�(tǒng)功��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�45A
�(dǎo)通電阻:1.8mΩ
柵極電荷�75nC
輸入電容�1250pF
工作溫度范圍�-55� � 175�
GA1210H184JBXAR31G 具有以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,能夠有效減少傳導(dǎo)損��
2. 高速開�(guān)性能,支持高�1MHz的工作頻率�
3. 超低柵極電荷�(shè)�,有助于降低�(qū)動功��
4. 增強的熱�(wěn)定�,確保高溫環(huán)境下的可靠運行�
5. 緊湊型封�,適合高密度電路板布局�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開�(guān)元件�
2. 各類電機�(qū)動控制器,例如步進電機和無刷直流電機�
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切��
4. 電動汽車(EV)和混合動力汽�(HEV)的逆變器模塊�
5. 高效DC-DC�(zhuǎn)換器以及同步整流電路�
IRF7832, STP10NK60Z, FDP150AN6B