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GA1210H184JBXAR31G 發(fā)布時間 時間�2025/6/6 19:34:33 查看 閱讀�5

GA1210H184JBXAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。該器件采用先進的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,能夠在高頻工作條件下提供高效的性能表現(xiàn)�
  此型號屬于增強型N溝道MOSFET,適合在大電流環(huán)境下使用,并且能夠顯著降低系�(tǒng)功��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�45A
  �(dǎo)通電阻:1.8mΩ
  柵極電荷�75nC
  輸入電容�1250pF
  工作溫度范圍�-55� � 175�

特�

GA1210H184JBXAR31G 具有以下�(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,能夠有效減少傳導(dǎo)損��
  2. 高速開�(guān)性能,支持高�1MHz的工作頻率�
  3. 超低柵極電荷�(shè)�,有助于降低�(qū)動功��
  4. 增強的熱�(wěn)定�,確保高溫環(huán)境下的可靠運行�
  5. 緊湊型封�,適合高密度電路板布局�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開�(guān)元件�
  2. 各類電機�(qū)動控制器,例如步進電機和無刷直流電機�
  3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切��
  4. 電動汽車(EV)和混合動力汽�(HEV)的逆變器模塊�
  5. 高效DC-DC�(zhuǎn)換器以及同步整流電路�

替代型號

IRF7832, STP10NK60Z, FDP150AN6B

ga1210h184jbxar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.18 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-