GA1210H184KXXAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和開�(guān)電源等領(lǐng)域。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提升系�(tǒng)的效率和�(wěn)定��
該器件屬� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,其�(shè)�(jì)旨在滿足高電流和高電壓應(yīng)用的需�。通過�(yōu)化的柵極�(qū)�(dòng)特性和封裝技�(shù),GA1210H184KXXAR31G 可以在高頻開�(guān)條件下保持較低的功耗,同時(shí)具備較強(qiáng)的散熱能��
最大漏源電壓:1200V
連續(xù)漏極電流�18A
�(dǎo)通電阻(典型值)�150mΩ
柵極電荷�65nC
輸入電容�2200pF
�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
封裝形式:TO-247
GA1210H184KXXAR31G 的主要特�(diǎn)是其高耐壓能力和低�(dǎo)通電阻,這使得它非常適合于高壓大電流的應(yīng)用場(chǎng)�。此�,該芯片還具有以下優(yōu)�(diǎn)�
1. 高效的能量轉(zhuǎn)換:由于其低�(dǎo)通電阻和�(yōu)化的開關(guān)特�,能夠在高頻工作條件下減少能量損��
2. �(wěn)定性好:內(nèi)置保�(hù)�(jī)制可有效防止過流和過熱情況的�(fā)��
3. 快速開�(guān)性能:得益于先�(jìn)的結(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),其開關(guān)速度較傳�(tǒng)�(chǎn)品更�,減少了開關(guān)損��
4. �(qiáng)大的散熱性能:采� TO-247 封裝,確保了良好的散熱效�,適合長(zhǎng)�(shí)間高�(fù)荷運(yùn)行�
這些特點(diǎn)共同決定� GA1210H184KXXAR31G 在工�(yè)控制、汽車電子以及通信電源等領(lǐng)域的廣泛�(yīng)��
該芯片適用于多種需要高壓和高效能轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)合,例如�
1. 開關(guān)電源(SMPS):包括 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器,能夠提供穩(wěn)定的輸出電壓�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于控制各類電�(jī)的速度和方�,尤其在工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中表現(xiàn)�(yōu)異�
3. 太陽能逆變器:幫助�(shí)�(xiàn)直流電到交流電的高效�(zhuǎn)�,提高能源利用率�
4. 電動(dòng)車充電模塊:為電�(dòng)車電池提供快速且安全的充電解決方��
5. 工業(yè)�(jí)電源系統(tǒng):支持更高功率密度的�(shè)�(jì)需求,滿足�(yán)苛的工作�(huán)境要��
GA1210H184KXXBR31G, IRFP460, STW97N120K5