型號(hào)：GA1210H184KXXAT31G
　　類型：功率放大器
　　工藝：GaAs HEMT
　　頻率范圍：1.7 GHz 至 2.2 GHz
　　增益：18 dB
　　飽和輸出功率：45 dBm
　　電源電壓：12 V
　　靜態(tài)電流：1.2 A
　　封裝形式：陶瓷密封
　　工作溫度范圍：-40°C 至 +85°C

GA1210H184KXXAT31G 的主要特點(diǎn)是其在高頻段下的高效性能。具體包括：
　　1. 高增益：芯片提供高達(dá) 18 dB 的增益，適合需要高信號(hào)強(qiáng)度的應(yīng)用場(chǎng)景。
　　2. 寬帶支持：覆蓋從 1.7 GHz 到 2.2 GHz 的頻率范圍，可滿足多種無(wú)線通信標(biāo)準(zhǔn)的需求。
　　3. 低失真：采用線性化技術(shù)，有效減少信號(hào)失真，提高通信質(zhì)量。
　　4. 穩(wěn)定性：即使在極端溫度條件下也能保持性能穩(wěn)定，適用于戶外設(shè)備。
　　5. 高效率：在高功率輸出時(shí)仍能維持較高的能量轉(zhuǎn)換效率，降低整體能耗。
　　6. 易于集成：采用緊湊型封裝設(shè)計(jì)，便于與其他射頻組件集成到復(fù)雜系統(tǒng)中。

該芯片廣泛應(yīng)用于各種射頻通信領(lǐng)域，包括但不限于以下方面：
　　1. 蜂窩基站：用于 3G、4G 和部分 5G 射頻前端模塊，提升基站覆蓋范圍和信號(hào)質(zhì)量。
　　2. 固定無(wú)線接入 (FWA)：為寬帶無(wú)線接入設(shè)備提供可靠的信號(hào)放大功能。
　　3. 微波鏈路：支持點(diǎn)對(duì)點(diǎn)或點(diǎn)對(duì)多點(diǎn)微波通信系統(tǒng)的信號(hào)傳輸。
　　4. 軍事與航空航天：在雷達(dá)、衛(wèi)星通信和其他高性能要求的環(huán)境中使用。
　　5. 工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療 (ISM) 頻段：在無(wú)線傳感器網(wǎng)絡(luò)等特定頻段內(nèi)實(shí)現(xiàn)高效數(shù)據(jù)傳輸。

GA1210H184KXXBT31G, GA1210H184KXXCT31G