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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1210H184KXXAT31G

GA1210H184KXXAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/9 17:51:05 查看 閱讀�3

GA1210H184KXXAT31G 是一款高性能的功率放大器芯片,主要用于射頻通信系統(tǒng)中的信號(hào)放大。該芯片采用先�(jìn)� GaAs(砷化鎵)工藝制�,具有高增益、高線性度和低功耗的特點(diǎn),適用于蜂窩基站、無(wú)線基�(chǔ)�(shè)施和其他射頻�(yīng)��
  其設(shè)�(jì)針對(duì)多載波功率放大器 (MCPA) �(yīng)用�(jìn)行了�(yōu)化,能夠提供出色的效率和性能,在多種工作條件下保持穩(wěn)定的輸出特性�

參數(shù)

型號(hào):GA1210H184KXXAT31G
  類型:功率放大器
  工藝:GaAs HEMT
  頻率范圍�1.7 GHz � 2.2 GHz
  增益�18 dB
  飽和輸出功率�45 dBm
  電源電壓�12 V
  靜態(tài)電流�1.2 A
  封裝形式:陶瓷密�
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C

特�

GA1210H184KXXAT31G 的主要特�(diǎn)是其在高頻段下的高效性能。具體包括:
  1. 高增益:芯片提供高達(dá) 18 dB 的增�,適合需要高信號(hào)�(qiáng)度的�(yīng)用場(chǎng)景�
  2. 寬帶支持:覆蓋從 1.7 GHz � 2.2 GHz 的頻率范�,可滿足多種�(wú)線通信�(biāo)�(zhǔn)的需��
  3. 低失真:采用線性化技�(shù),有效減少信�(hào)失真,提高通信�(zhì)量�
  4. �(wěn)定性:即使在極端溫度條件下也能保持性能�(wěn)�,適用于戶外�(shè)備�
  5. 高效率:在高功率輸出�(shí)仍能維持較高的能量轉(zhuǎn)換效�,降低整體能��
  6. 易于集成:采用緊湊型封裝�(shè)�(jì),便于與其他射頻組件集成到復(fù)雜系�(tǒng)中�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于各種射頻通信�(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
  1. 蜂窩基站:用� 3G�4G 和部� 5G 射頻前端模塊,提升基站覆蓋范圍和信號(hào)�(zhì)��
  2. 固定�(wú)線接� (FWA):為寬帶�(wú)線接入設(shè)備提供可靠的信號(hào)放大功能�
  3. 微波鏈路:支持點(diǎn)�(duì)�(diǎn)或點(diǎn)�(duì)多點(diǎn)微波通信系統(tǒng)的信�(hào)傳輸�
  4. 軍事與航空航天:在雷�(dá)、衛(wèi)星通信和其他高性能要求的環(huán)境中使用�
  5. 工業(yè)、科�(xué)和醫(yī)� (ISM) 頻段:在�(wú)線傳感器�(wǎng)�(luò)等特定頻段內(nèi)�(shí)�(xiàn)高效�(shù)�(jù)傳輸�

替代型號(hào)

GA1210H184KXXBT31G, GA1210H184KXXCT31G

ga1210h184kxxat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.18 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-