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GA1210H223JXAAR31G 發(fā)布時間 時間�2025/6/12 5:23:27 查看 閱讀�9

GA1210H223JXAAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、逆變器以及其他需要高效電能轉(zhuǎn)換的場景。該芯片采用先進的制造工藝,具備低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能等優(yōu)�,能夠顯著提升系�(tǒng)的效率和可靠性�
  該器件屬于N溝道增強型場效應(yīng)晶體�,其�(shè)計旨在滿足現(xiàn)代電力電子設(shè)備對小型�、高效化和可靠性的需��

參數(shù)

型號:GA1210H223JXAAR31G
  類型:N-Channel MOSFET
  Vds(漏源電壓)�1200V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�150mΩ
  Id(持�(xù)漏極電流):20A
  Qg(柵極電荷)�50nC
  EAS(雪崩能量)�2.5J
  封裝形式:TO-247
  工作溫度范圍�-55� � +150�

特�

GA1210H223JXAAR31G 具備以下�(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),可有效降低傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 高耐壓能力,Vds高達1200V,適合高壓應(yīng)用環(huán)��
  3. 出色的熱�(wěn)定性,能夠在寬溫范圍內(nèi)保持�(wěn)定的工作性能�
  4. 快速開�(guān)速度,減少開�(guān)損耗并提升動態(tài)響應(yīng)能力�
  5. �(nèi)置ESD保護功能,提高了器件的抗靜電能力和可靠��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)��
  這些特性使該芯片成為高功率密度和高效率�(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

GA1210H223JXAAR31G 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開�(guān)��
  2. 工業(yè)電機�(qū)動中的功率級控制�
  3. 太陽能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換模��
  4. 電動汽車(EV)及混合動力汽�(HEV)的電源管理系�(tǒng)�
  5. 不間斷電�(UPS)和其他高可靠性電力電子設(shè)��
  其高壓和大電流處理能力使其非常適合需要高效功率轉(zhuǎn)換和精確控制的應(yīng)用場��

替代型號

GA1210H223JXAAR31K, IRFP460, STW88N120K5

ga1210h223jxaar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.022 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-
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