GA1210H223JXAAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、逆變器以及其他需要高效電能轉(zhuǎn)換的場景。該芯片采用先進的制造工藝,具備低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能等優(yōu)�,能夠顯著提升系�(tǒng)的效率和可靠性�
該器件屬于N溝道增強型場效應(yīng)晶體�,其�(shè)計旨在滿足現(xiàn)代電力電子設(shè)備對小型�、高效化和可靠性的需��
型號:GA1210H223JXAAR31G
類型:N-Channel MOSFET
Vds(漏源電壓)�1200V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�150mΩ
Id(持�(xù)漏極電流):20A
Qg(柵極電荷)�50nC
EAS(雪崩能量)�2.5J
封裝形式:TO-247
工作溫度范圍�-55� � +150�
GA1210H223JXAAR31G 具備以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),可有效降低傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 高耐壓能力,Vds高達1200V,適合高壓應(yīng)用環(huán)��
3. 出色的熱�(wěn)定性,能夠在寬溫范圍內(nèi)保持�(wěn)定的工作性能�
4. 快速開�(guān)速度,減少開�(guān)損耗并提升動態(tài)響應(yīng)能力�
5. �(nèi)置ESD保護功能,提高了器件的抗靜電能力和可靠��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)��
這些特性使該芯片成為高功率密度和高效率�(yīng)用的理想選擇�
GA1210H223JXAAR31G 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開�(guān)��
2. 工業(yè)電機�(qū)動中的功率級控制�
3. 太陽能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換模��
4. 電動汽車(EV)及混合動力汽�(HEV)的電源管理系�(tǒng)�
5. 不間斷電�(UPS)和其他高可靠性電力電子設(shè)��
其高壓和大電流處理能力使其非常適合需要高效功率轉(zhuǎn)換和精確控制的應(yīng)用場��
GA1210H223JXAAR31K, IRFP460, STW88N120K5