GA1210H223JXAAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、DC-DC �(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景。該芯片采用先進的半導(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特點,能夠顯著降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強型器�,適用于中高電壓范圍�(nèi)的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其封裝形式� TO-247,具備出色的散熱性能,適合大功率場合使用�
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�22A
�(dǎo)通電阻(典型值)�0.08Ω
柵極閾值電壓:4V
總功耗:290W
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247
GA1210H223JXAAT31G 具有以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少�(dǎo)通損�,提高整體效��
2. 快速的開關(guān)速度,降低了開關(guān)過程中的能量損��
3. 高擊穿電壓設(shè)�,確保在高壓�(huán)境下的可靠運��
4. �(yōu)異的熱性能,使其能夠在高功率密度的�(yīng)用場景中�(wěn)定工��
5. 強大的抗雪崩能力,增強了器件在異常條件下的魯棒��
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且安全�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的主開�(guān)��
2. 工業(yè)電機�(qū)動電路中的功率級元件�
3. 電動車和混合動力汽車中的 DC-DC �(zhuǎn)換模��
4. 太陽能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換組件�
5. 各種需要高效功率控制的工業(yè)�(shè)備及消費類電子產(chǎn)��
GA1210H222JXAAT31G
IRFP260N
FDP18N65C
STP22NF65