GA1210H223KBXAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高效率和高可靠性應(yīng)用設(shè)�(jì)。該芯片采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備低�(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度以及出色的熱性能。其主要�(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�、逆變器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景�
該器件具有增�(qiáng)的電氣特性和魯棒�,能夠在�(yán)苛的工作條件下保持穩(wěn)定運(yùn)�。同�(shí),它支持表面貼裝封裝技�(shù),便于自動化生產(chǎn)和小型化�(shè)�(jì)�
型號:GA1210H223KBXAR31G
類型:N-Channel MOSFET
封裝:TO-263 (D2PAK)
Vds(漏源電壓)�120V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�1.8mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):95A
柵極電荷�45nC
工作溫度范圍�-55� � +175�
功耗:250W
GA1210H223KBXAR31G 的核心特性包括低�(dǎo)通電阻和高速開�(guān)性能,使其非常適合高頻功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。此外,其采用的先�(jìn)溝槽� MOSFET �(jié)�(gòu)�(yōu)化了散熱路徑,從而提升了整體效率�
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),能夠顯著降低傳�(dǎo)損��
2. 快速開�(guān)速度減少了開�(guān)損�,提高了系統(tǒng)效率�
3. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)了芯片的抗靜電能力�
4. 支持寬范圍的工作溫度,適�(yīng)惡劣�(huán)境下的使用需求�
5. 高電流承載能�,適用于大功率應(yīng)用場��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合全球市場�
這款功率 MOSFET 廣泛�(yīng)用于多個領(lǐng)域,涵蓋工業(yè)、汽車及消費(fèi)電子等多個行�(yè)�
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率級元��
2. 電動車輛 (EV/HEV) 的牽引逆變器與電池管理系統(tǒng) (BMS)�
3. 工業(yè)電機(jī)�(qū)動器和伺服控制器中的功率輸出��
4. 太陽能微型逆變器和其他可再生能源設(shè)��
5. LED 照明�(qū)動電路中的功率開�(guān)�
6. 各種高功率密度的電子�(fù)載和測試�(shè)��
7. UPS 不間斷電源系�(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模��
GA1210H223KBXAR31L, IRFZ44N, FDP5500