GA1210H224JBXAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、逆變器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的場�。該器件采用了先進的制造工�,具有低導通電阻、高效率以及出色的熱性能。其封裝形式和電氣特性使得它在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
型號:GA1210H224JBXAR31G
類型:N溝道增強型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�120V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�10A
導通電�(Rds(on))�22mΩ(典型�,Vgs=10V�
總功�(Ptot)�28W
工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝形式:TO-263
GA1210H224JBXAR31G 具有以下主要特性:
1. 極低的導通電阻,有助于降低功率損耗并提高整體效率�
2. 快速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
3. �(yōu)化的柵極電荷�(shè)�,減少開�(guān)損��
4. 出色的熱�(wěn)定�,能夠在極端溫度范圍�(nèi)保持性能�
5. 高度可靠的封裝設(shè)�,具備良好的機械強度和電氣連接��
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
這些特性使� GA1210H224JBXAR31G 成為各種高效率功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�
該芯片適用于多種�(yīng)用場�,包括但不限于:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS),如 AC/DC � DC/DC �(zhuǎn)換器�
2. 電機�(qū)動電�,用于工�(yè)自動化和家用電器�
3. 逆變器系�(tǒng),例如太陽能逆變器和不間斷電�(UPS)�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS),提供高效的充電和放電控��
5. 各類負載切換和保護電��
憑借其卓越的性能和可靠性,GA1210H224JBXAR31G 在許多高要求�(lǐng)域都得到了廣泛應(yīng)��
IRFZ44N
FDP157N
STP10NK60Z