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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1210H273KBAAT31G

GA1210H273KBAAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/11 11:31:41 查看 閱讀�4

GA1210H273KBAAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專(zhuān)為高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適合用� DC-DC �(zhuǎn)換器、電源管理模塊以及電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)��
  該型�(hào)屬于增強(qiáng)� N 溝道 MOSFET,其封裝形式� TO-263(D2PAK�,能夠承受較高的電壓和電流負(fù)�。同�(shí),它還具有出色的熱性能和電氣穩(wěn)定�,能夠在�(yán)苛的工作�(huán)境下保持可靠�(yùn)行�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�35A
  �(dǎo)通電阻:1.8mΩ
  柵極電荷�75nC
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:15ns
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

GA1210H273KBAAT31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),可顯著降低功率損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)能力,支持高�(dá) 2MHz 的開(kāi)�(guān)頻率,適用于高頻�(yīng)��
  3. 高電流承載能�,滿(mǎn)足大功率電路需��
  4. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的抗靜電能力�
  5. 熱增�(qiáng)型封裝設(shè)�(jì),確保在高功耗條件下仍能維持良好散熱性能�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于焊接加工�

�(yīng)�

這款 MOSFET 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流�
  2. 工業(yè)�(jí)電機(jī)�(qū)�(dòng)與控制電路�
  3. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的充放電保�(hù)�
  4. 電信�(shè)備及消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中的高效功率轉(zhuǎn)��
  5. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(chǎn)品中的功率調(diào)節(jié)單元�
  由于其高效率和高可靠�,該芯片非常適合需要緊湊設(shè)�(jì)和高性能表現(xiàn)的應(yīng)用場(chǎng)合�

替代型號(hào)

IRF7739,
  STP30NF06,
  FDP5800

ga1210h273kbaat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.027 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線(xiàn)間距-
  • 引線(xiàn)樣式-