GA1210H273KBAAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專(zhuān)為高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適合用� DC-DC �(zhuǎn)換器、電源管理模塊以及電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)��
該型�(hào)屬于增強(qiáng)� N 溝道 MOSFET,其封裝形式� TO-263(D2PAK�,能夠承受較高的電壓和電流負(fù)�。同�(shí),它還具有出色的熱性能和電氣穩(wěn)定�,能夠在�(yán)苛的工作�(huán)境下保持可靠�(yùn)行�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�35A
�(dǎo)通電阻:1.8mΩ
柵極電荷�75nC
�(kāi)�(guān)�(shí)間:15ns
工作溫度范圍�-55� � +175�
GA1210H273KBAAT31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),可顯著降低功率損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)能力,支持高�(dá) 2MHz 的開(kāi)�(guān)頻率,適用于高頻�(yīng)��
3. 高電流承載能�,滿(mǎn)足大功率電路需��
4. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的抗靜電能力�
5. 熱增�(qiáng)型封裝設(shè)�(jì),確保在高功耗條件下仍能維持良好散熱性能�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于焊接加工�
這款 MOSFET 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流�
2. 工業(yè)�(jí)電機(jī)�(qū)�(dòng)與控制電路�
3. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的充放電保�(hù)�
4. 電信�(shè)備及消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中的高效功率轉(zhuǎn)��
5. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(chǎn)品中的功率調(diào)節(jié)單元�
由于其高效率和高可靠�,該芯片非常適合需要緊湊設(shè)�(jì)和高性能表現(xiàn)的應(yīng)用場(chǎng)合�
IRF7739,
STP30NF06,
FDP5800