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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1210H273KXAAT31G

GA1210H273KXAAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/30 17:57:18 查看 閱讀�14

GA1210H273KXAAT31G 是一款高性能的功率放大器芯片,主要用于射頻通信�(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的工藝技�(shù)制造,能夠在高頻段下提供卓越的增益和輸出功率表�(xiàn),同�(shí)保持較低的噪聲系�(shù)。其廣泛�(yīng)用于�(wú)�(xiàn)通信�(shè)�、基站以及射頻模塊中�
  這款芯片具有高集成度和良好的�(xiàn)性度,能夠滿(mǎn)足現(xiàn)代通信系統(tǒng)�(duì)效率和性能的嚴(yán)格要求�

參數(shù)

型號(hào):GA1210H273KXAAT31G
  工作頻率范圍�1.8 GHz � 2.2 GHz
  輸出功率�30 dBm
  增益�15 dB
  電源電壓�4.8 V
  電流消耗:典型� 250 mA
  封裝形式:QFN 5x5 mm
  工作溫度范圍�-40� � +85�
  噪聲系數(shù):小� 3.5 dB

特�

GA1210H273KXAAT31G 的主要特性包括:
  1. 高輸出功率和高增益設(shè)�(jì),確保在高頻�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
  2. 具備出色的線(xiàn)性度和效�,支持復(fù)雜的�(diào)制方�,如 OFDM � QAM�
  3. �(nèi)置匹配網(wǎng)�(luò),簡(jiǎn)化外部電路設(shè)�(jì)并減少元件數(shù)量�
  4. 提供�(wěn)定的性能,即使在寬泛的工作溫度范圍內(nèi)也能正常�(yùn)行�
  5. 支持多種電源管理選項(xiàng),便于優(yōu)化功��
  6. 封裝小巧,適合空間受限的�(yīng)用場(chǎng)��

�(yīng)�

該芯片適用于以下�(yīng)用領(lǐng)域:
  1. LTE � 5G 基站中的射頻前端模塊�
  2. 移動(dòng)通信�(shè)備,例如便攜式收�(fā)器和�(wú)�(xiàn)接入�(diǎn)�
  3. 工業(yè)�(wú)�(xiàn)通信系統(tǒng),如�(yuǎn)程監(jiān)控和�(shù)�(jù)采集�(shè)��
  4. 高性能射頻�(cè)試設(shè)備及儀器儀��
  5. �(wèi)星通信與導(dǎo)航系�(tǒng)的信�(hào)放大�(huán)節(jié)�

替代型號(hào)

GA1210H272KXAAT31G, GA1211H273KXAAT31G

ga1210h273kxaat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.027 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線(xiàn)間距-
  • 引線(xiàn)樣式-