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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1210H273MXAAR31G

GA1210H273MXAAR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/24 19:53:37 查看 閱讀�16

GA1210H273MXAAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)� DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)用領(lǐng)域。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,能夠在高頻條件下實(shí)�(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)��
  該芯片屬于增�(qiáng)� N 溝道 MOSFET,適用于需要高效率和低功耗的�(shè)�(jì)�(chǎng)��

參數(shù)

型號(hào):GA1210H273MXAAR31G
  類型:N溝道 MOSFET
  電壓等級(jí)�1200V
  連續(xù)漏極電流�40A
  �(dǎo)通電阻:65mΩ(典型值)
  柵極電荷�120nC(最大值)
  輸入電容�1800pF
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:TO-247

特�

GA1210H273MXAAR31G 具有以下顯著特性:
  1. 高擊穿電壓:該器件支持高�(dá) 1200V 的阻斷電�,適合高壓環(huán)境下的應(yīng)��
  2. 低導(dǎo)通電阻:其典型導(dǎo)通電阻僅� 65mΩ,能夠有效降低導(dǎo)通損耗�
  3. 快速開�(guān)性能:由于其較低的柵極電�,可以實(shí)�(xiàn)快速的開關(guān)操作,從而減少開�(guān)損��
  4. �(wěn)定性強(qiáng):即使在高溫�(huán)境下,該芯片仍然保持出色的性能和可靠性�
  5. 封裝�(yōu)�(shì):采� TO-247 封裝,提供良好的散熱性能和機(jī)械強(qiáng)��

�(yīng)�

GA1210H273MXAAR31G 廣泛�(yīng)用于多種電力電子�(shè)備中,包括但不限于:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):用于 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):作為主功率器件控制電機(jī)的運(yùn)行狀�(tài)�
  3. 太陽(yáng)能逆變器:�(shí)�(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換和傳輸�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:為各類工�(yè)控制系統(tǒng)提供可靠的功率輸��
  5. 電動(dòng)汽車充電裝置:適用于快充系統(tǒng)中的功率�(diào)節(jié)單元�

替代型號(hào)

GA1210H274MXAAR31G, IRFP460, FQA40P120

ga1210h273mxaar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.027 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-