GA1210H273MXAAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)� DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)用領(lǐng)域。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,能夠在高頻條件下實(shí)�(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)��
該芯片屬于增�(qiáng)� N 溝道 MOSFET,適用于需要高效率和低功耗的�(shè)�(jì)�(chǎng)��
型號(hào):GA1210H273MXAAR31G
類型:N溝道 MOSFET
電壓等級(jí)�1200V
連續(xù)漏極電流�40A
�(dǎo)通電阻:65mΩ(典型值)
柵極電荷�120nC(最大值)
輸入電容�1800pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247
GA1210H273MXAAR31G 具有以下顯著特性:
1. 高擊穿電壓:該器件支持高�(dá) 1200V 的阻斷電�,適合高壓環(huán)境下的應(yīng)��
2. 低導(dǎo)通電阻:其典型導(dǎo)通電阻僅� 65mΩ,能夠有效降低導(dǎo)通損耗�
3. 快速開�(guān)性能:由于其較低的柵極電�,可以實(shí)�(xiàn)快速的開關(guān)操作,從而減少開�(guān)損��
4. �(wěn)定性強(qiáng):即使在高溫�(huán)境下,該芯片仍然保持出色的性能和可靠性�
5. 封裝�(yōu)�(shì):采� TO-247 封裝,提供良好的散熱性能和機(jī)械強(qiáng)��
GA1210H273MXAAR31G 廣泛�(yīng)用于多種電力電子�(shè)備中,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源(SMPS):用于 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):作為主功率器件控制電機(jī)的運(yùn)行狀�(tài)�
3. 太陽(yáng)能逆變器:�(shí)�(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換和傳輸�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:為各類工�(yè)控制系統(tǒng)提供可靠的功率輸��
5. 電動(dòng)汽車充電裝置:適用于快充系統(tǒng)中的功率�(diào)節(jié)單元�
GA1210H274MXAAR31G, IRFP460, FQA40P120