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GA1210H333JBAAT31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/28 11:09:40 查看 閱讀�11

GA1210H333JBAAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先�(jìn)的制造工藝設(shè)�(jì)。該芯片廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)動、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率管理的場景��
  這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效率并降低功��

參數(shù)

類型:N溝道MOSFET
  工作電壓(Vds):120V
  漏極電流(Id):33A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ
  柵極電荷(Qg):68nC
  輸入電容(Ciss):3720pF
  輸出電容(Coss):195pF
  反向恢復(fù)時間(trr):55ns
  �(jié)溫范圍:-55℃至+175�

特�

GA1210H333JBAAT31G 具有出色的電氣性能,其主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導(dǎo)損耗,從而提高系�(tǒng)效率�
  2. 快速的開關(guān)速度,可有效降低開關(guān)損�,并支持高頻�(yīng)��
  3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的耐用性�
  4. 小尺寸封裝設(shè)�(jì),便于布局和散熱管理�
  5. �(wěn)定的工作特性和可靠�,適合工�(yè)級和消費(fèi)類電子產(chǎn)品的廣泛�(yīng)��
  此外,該器件還具備良好的熱性能,使其能夠在高功率密度的�(yīng)用環(huán)境中保持�(wěn)定運(yùn)��

�(yīng)�

GA1210H333JBAAT31G 廣泛用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)�(qū)�
  4. 太陽能逆變�
  5. 電動工具及家電設(shè)備中的功率控制模�
  6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切換電�
  其優(yōu)異的性能和可靠性使其成為眾多高功率�(yīng)用場景的理想選擇�

替代型號

GA1210H333JBAAT31B, IRFZ44N, FDP5800

ga1210h333jbaat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.033 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-