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GA1210H333JXXAT31G 發(fā)布時間 時間�2025/6/9 15:39:14 查看 閱讀�3

GA1210H333JXXAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)動和工業(yè)控制�(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提升系�(tǒng)效率并降低功��
  其封裝形式為 TO-263-3,具有良好的散熱性能,適合于需要高電流處理能力的應(yīng)用場��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�45A
  �(dǎo)通電阻:2.5mΩ
  柵極電荷�75nC
  開關(guān)速度�10ns
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

GA1210H333JXXAT31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠在高電流條件下提供更高的效��
  2. 高速開�(guān)性能,減少開�(guān)損�,適用于高頻�(yīng)用�
  3. 具備出色的熱�(wěn)定性和可靠�,適�(yīng)�(yán)苛的工作�(huán)��
  4. �(nèi)置反向恢�(fù)二極�,有效防止反向電流沖擊�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�

�(yīng)�

該芯片適用于多種�(yīng)用場�,例如:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的功率�(zhuǎn)換模��
  2. 工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)動電��
  3. 電動汽車及混合動力汽車的電池管理系統(tǒng)�
  4. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)的功率調(diào)節(jié)部分�
  5. 各類高效� DC-DC �(zhuǎn)換器�(shè)�(jì)�

替代型號

IRF3205
  FDP5580
  STP55NF06L

ga1210h333jxxat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.033 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-