GA1210H333JXXAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)動和工業(yè)控制�(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提升系�(tǒng)效率并降低功��
其封裝形式為 TO-263-3,具有良好的散熱性能,適合于需要高電流處理能力的應(yīng)用場��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�45A
�(dǎo)通電阻:2.5mΩ
柵極電荷�75nC
開關(guān)速度�10ns
工作溫度范圍�-55� � +175�
GA1210H333JXXAT31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠在高電流條件下提供更高的效��
2. 高速開�(guān)性能,減少開�(guān)損�,適用于高頻�(yīng)用�
3. 具備出色的熱�(wěn)定性和可靠�,適�(yīng)�(yán)苛的工作�(huán)��
4. �(nèi)置反向恢�(fù)二極�,有效防止反向電流沖擊�
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�
該芯片適用于多種�(yīng)用場�,例如:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的功率�(zhuǎn)換模��
2. 工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)動電��
3. 電動汽車及混合動力汽車的電池管理系統(tǒng)�
4. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)的功率調(diào)節(jié)部分�
5. 各類高效� DC-DC �(zhuǎn)換器�(shè)�(jì)�
IRF3205
FDP5580
STP55NF06L