GA1210H333KBXAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠性�
這款功率MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型器�,適用于中高壓應(yīng)用場(chǎng)�。通過(guò)�(yōu)化設(shè)�(jì),其在動(dòng)�(tài)性能和靜�(tài)性能之間�(dá)到了良好的平�,適合要求高效能與緊湊設(shè)�(jì)的應(yīng)用場(chǎng)��
型號(hào):GA1210H333KBXAR31G
�(lèi)型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓Vds�650V
最大柵源電壓Vgs:�20V
持續(xù)漏極電流Id�12A
�(dǎo)通電阻Rds(on)�450mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
總功耗Ptot�17W
工作溫度范圍Tj�-55℃至+175�
GA1210H333KBXAR31G 具有以下顯著特性:
1. 采用先�(jìn)的硅工藝技�(shù)制�,確保了低導(dǎo)通電阻和高效率�
2. 支持寬范圍的工作電壓,適合多種應(yīng)用需��
3. 高速開(kāi)�(guān)能力,有助于減少�(kāi)�(guān)損耗并提高系統(tǒng)整體效率�
4. �(qiáng)大的散熱性能,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
5. �(nèi)置靜電防�(hù)功能,增�(qiáng)了產(chǎn)品的可靠性和耐用��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
7. 緊湊型封裝設(shè)�(jì),便于PCB布局和安��
該芯片適用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)�(guān)管或同步整流��
2. 各類(lèi)DC-DC�(zhuǎn)換器,包括降壓、升壓及升降壓轉(zhuǎn)換器�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,如步�(jìn)電機(jī)、無(wú)刷直流電�(jī)��
4. 太陽(yáng)能逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)中的功率管理模塊�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載控��
6. 汽車(chē)電子中的�(diǎn)火系�(tǒng)、LED照明�(qū)�(dòng)��
GA1210H333KBYAR31G, IRF840, STP12NK65Z