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GA1210H333MBXAR31G 發(fā)布時間 時間:2025/5/28 11:10:04 查看 閱讀:10

GA1210H333MBXAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,適用于各種開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及電機驅(qū)動等應(yīng)用。該器件采用先進的制造工藝,具有低導通電阻和高開關(guān)速度的特點,能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率。
  這款芯片主要面向工業(yè)和消費電子領(lǐng)域,廣泛應(yīng)用于適配器、充電器以及各類電力電子設(shè)備中。

參數(shù)

型號:GA1210H333MBXAR31G
  類型:N溝道 MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):60V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  持續(xù)漏極電流(Id):45A
  導通電阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型值,在Vgs=10V時)
  總柵極電荷(Qg):60nC
  輸入電容(Ciss):2200pF
  工作溫度范圍:-55℃至+175℃
  封裝形式:TO-247

特性

GA1210H333MBXAR31G 具有以下關(guān)鍵特性:
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)),可以顯著降低傳導損耗,提升效率。
  2. 高速開關(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場合。
  3. 大電流處理能力,支持高達45A的持續(xù)漏極電流。
  4. 強大的熱性能,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定運行。
  5. 內(nèi)置ESD保護功能,提高了器件的可靠性。
  6. 符合RoHS標準,環(huán)保且無鉛設(shè)計。
  這些特點使得該MOSFET在高功率密度和高效能的應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,例如服務(wù)器電源、通信電源以及電動汽車的電池管理系統(tǒng)等。

應(yīng)用

GA1210H333MBXAR31G 主要應(yīng)用于以下場景:
  1. 開關(guān)電源(SMPS),包括AC-DC轉(zhuǎn)換器和DC-DC轉(zhuǎn)換器。
  2. 電動工具和家用電器中的電機驅(qū)動電路。
  3. 新能源汽車的車載充電器和電池管理模塊。
  4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制單元。
  5. 高效逆變器和UPS不間斷電源系統(tǒng)。
  其出色的性能和可靠性使其成為眾多高功率應(yīng)用場景的理想選擇。

替代型號

IRFZ44N, FDP5800, STP10NK60Z

ga1210h333mbxar31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容0.033 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長 x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-