GA1210H393KXAAR31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶體管,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和功率轉(zhuǎn)換等場(chǎng)景。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能。
其封裝形式為 PQFN4X4-16L,適合表面貼裝技術(shù) (SMT),能夠有效減少寄生電感并提高整體系統(tǒng)效率。
型號(hào):GA1210H393KXAAR31G
類型:MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)
VDS(漏源極電壓):60V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻):5mΩ
ID(連續(xù)漏極電流):70A
Qg(柵極電荷):28nC
fSW(最大工作頻率):1MHz
結(jié)溫范圍:-55°C 至 +175°C
封裝:PQFN4X4-16L
GA1210H393KXAAR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻 RDS(on),有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高能效。
2. 高開關(guān)速度設(shè)計(jì),能夠適應(yīng)高頻應(yīng)用需求。
3. 小型化的 PQFN 封裝,節(jié)省 PCB 空間,同時(shí)提供優(yōu)秀的散熱能力。
4. 耐高溫能力出色,能夠在極端環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 具備靜電防護(hù)功能,提高了器件的可靠性和抗干擾能力。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且適用于現(xiàn)代工業(yè)生產(chǎn)。
該器件適用于以下應(yīng)用場(chǎng)景:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的逆變橋臂元件。
3. 汽車電子領(lǐng)域中的負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
4. 工業(yè)控制設(shè)備中的高速切換模塊。
5. 筆記本電腦適配器及消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率管理單元。
由于其高效和緊湊的設(shè)計(jì),GA1210H393KXAAR31G 成為眾多高密度和高效率應(yīng)用的理想選擇。
GA1210H393KXAAR21G
IRF7772
FDP5800
AON7701