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GA1210H393MBAAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 19:37:54 查看 閱讀�7

GA1210H393MBAAT31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝設(shè)�(jì)。該器件具有低導(dǎo)通電阻、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱穩(wěn)定�,適用于各種功率�(zhuǎn)換和電源管理�(yīng)�。其封裝形式� TO-263(DPAK�,能夠有效提高散熱性能并簡(jiǎn)� PCB 布局�
  這款 MOSFET 主要面向工業(yè)、汽車及消費(fèi)類電子市�(chǎng),廣泛應(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開(kāi)�(guān)等領(lǐng)�。它通過(guò)�(yōu)化的�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),在高頻工作條件下表�(xiàn)出較低的�(kāi)�(guān)損�,并具備�(qiáng)大的雪崩耐量能力,從而提高了系統(tǒng)的可靠性和效率�

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)� MOSFET
  最大漏源電� VDS�60V
  最大柵源電� VGS:�20V
  連續(xù)漏極電流 ID�35A
  �(dǎo)通電� RDS(on)�3.5mΩ(在 VGS=10V �(shí)�
  輸入電容 Ciss�1450pF
  輸出電容 Coss�80pF
  反向傳輸電容 Crss�35pF
  總柵極電� Qg�47nC
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=13ns,toff=18ns
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

GA1210H393MBAAT31G 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電� (RDS(on)),有助于降低傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 高額定電� (ID),支持大功率�(yīng)用場(chǎng)��
  3. 快速的�(kāi)�(guān)速度和較小的柵極電荷 (Qg),可顯著減少�(kāi)�(guān)損��
  4. 出色的熱性能,適合長(zhǎng)�(shí)間高溫運(yùn)行環(huán)��
  5. �(qiáng)大的抗雪崩能力,增強(qiáng)了器件在異常條件下的魯棒��
  6. 小尺� DPAK 封裝,便于集成到緊湊型設(shè)�(jì)��
  7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于焊接�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于多�(gè)�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)�
  2. 各種電機(jī)控制和驅(qū)�(dòng)電路,例如無(wú)刷直流電�(jī) (BLDC) 和步�(jìn)電機(jī)�
  3. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換與保護(hù)功能�
  4. 工業(yè)�(shè)備中的逆變器和變頻器�
  5. 可再生能源領(lǐng)域的光伏逆變器和�(chǔ)能管理系�(tǒng)�
  6. 消費(fèi)電子�(chǎn)品中的快充適配器和筆記本電腦電源模塊�
  7. 通信基礎(chǔ)�(shè)施中的基站功率放大器和信�(hào)�(diào)節(jié)電路�

替代型號(hào)

IRF540N
  STP36NF06L
  FDP15U60A
  AOD510
  AO3402

ga1210h393mbaat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.039 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-