GA1210H393MBAAT31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝設(shè)�(jì)。該器件具有低導(dǎo)通電阻、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱穩(wěn)定�,適用于各種功率�(zhuǎn)換和電源管理�(yīng)�。其封裝形式� TO-263(DPAK�,能夠有效提高散熱性能并簡(jiǎn)� PCB 布局�
這款 MOSFET 主要面向工業(yè)、汽車及消費(fèi)類電子市�(chǎng),廣泛應(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開(kāi)�(guān)等領(lǐng)�。它通過(guò)�(yōu)化的�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),在高頻工作條件下表�(xiàn)出較低的�(kāi)�(guān)損�,并具備�(qiáng)大的雪崩耐量能力,從而提高了系統(tǒng)的可靠性和效率�
類型:N溝道增強(qiáng)� MOSFET
最大漏源電� VDS�60V
最大柵源電� VGS:�20V
連續(xù)漏極電流 ID�35A
�(dǎo)通電� RDS(on)�3.5mΩ(在 VGS=10V �(shí)�
輸入電容 Ciss�1450pF
輸出電容 Coss�80pF
反向傳輸電容 Crss�35pF
總柵極電� Qg�47nC
�(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=13ns,toff=18ns
工作溫度范圍�-55� � +175�
GA1210H393MBAAT31G 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電� (RDS(on)),有助于降低傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高額定電� (ID),支持大功率�(yīng)用場(chǎng)��
3. 快速的�(kāi)�(guān)速度和較小的柵極電荷 (Qg),可顯著減少�(kāi)�(guān)損��
4. 出色的熱性能,適合長(zhǎng)�(shí)間高溫運(yùn)行環(huán)��
5. �(qiáng)大的抗雪崩能力,增強(qiáng)了器件在異常條件下的魯棒��
6. 小尺� DPAK 封裝,便于集成到緊湊型設(shè)�(jì)��
7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于焊接�
該芯片廣泛應(yīng)用于多�(gè)�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)�
2. 各種電機(jī)控制和驅(qū)�(dòng)電路,例如無(wú)刷直流電�(jī) (BLDC) 和步�(jìn)電機(jī)�
3. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換與保護(hù)功能�
4. 工業(yè)�(shè)備中的逆變器和變頻器�
5. 可再生能源領(lǐng)域的光伏逆變器和�(chǔ)能管理系�(tǒng)�
6. 消費(fèi)電子�(chǎn)品中的快充適配器和筆記本電腦電源模塊�
7. 通信基礎(chǔ)�(shè)施中的基站功率放大器和信�(hào)�(diào)節(jié)電路�
IRF540N
STP36NF06L
FDP15U60A
AOD510
AO3402