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時(shí)間：2025/5/30 17:03:29
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GA1210H563JBXAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器等場景。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝制造，具有低導(dǎo)通電阻、高效率和快速開關(guān)特性。其設(shè)計(jì)優(yōu)化了熱性能，能夠滿足高功率密度應(yīng)用的需求。
該芯片具備出色的耐用性和穩(wěn)定性，適合在嚴(yán)苛的工作環(huán)境下使用。通過封裝技術(shù)的改進(jìn)，進(jìn)一步增強(qiáng)了散熱性能，從而提高了整體系統(tǒng)效率。
類型：功率 MOSFET
極性：N溝道
最大漏源電壓(Vds)：120V
最大柵源電壓(Vgs)：±20V
最大連續(xù)漏極電流(Id)：48A
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：3.5mΩ
柵極電荷(Qg)：70nC
總功耗(Ptot)：350W
工作溫度范圍(Ta)：-55°C to +175°C
封裝形式：TO-247
GA1210H563JBXAR31G 的主要特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力，這使得它非常適合需要高效能量轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場景。
1. 低導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 設(shè)計(jì)降低了傳導(dǎo)損耗，從而提升了系統(tǒng)的整體效率。
2. 快速開關(guān)性能有助于減少開關(guān)損耗，同時(shí)支持高頻操作。
3. 高額定電流 Id 和 Vds 保證了在高壓大電流環(huán)境下的可靠運(yùn)行。
4. 改進(jìn)的熱管理方案確保了芯片在高溫條件下依然保持良好的性能表現(xiàn)。
5. 寬泛的工作溫度范圍使其適應(yīng)多種工業(yè)及汽車級(jí)應(yīng)用場景。
6. 具備強(qiáng)大的短路耐受能力和過載保護(hù)機(jī)制，增加了系統(tǒng)的安全性和穩(wěn)定性。
這款功率 MOSFET 廣泛應(yīng)用于各種電力電子領(lǐng)域：
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)，包括 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和伺服控制系統(tǒng)。
3. 太陽能逆變器和其他可再生能源發(fā)電設(shè)備。
4. 電動(dòng)汽車(EV)和混合動(dòng)力汽車(HEV)中的牽引逆變器。
5. 高端音頻放大器以及負(fù)載切換電路。
6. 不間斷電源(UPS)系統(tǒng)和電池管理系統(tǒng)(BMS)。
IRF7739PBF
FDP16N12
STP120NF12
