GA1210H563JBXAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(lǐng)域。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率并降低功耗�
該型�(hào)屬于溝道增強(qiáng)型MOSFET系列,主要針�(duì)高頻率和大電流應(yīng)用場(chǎng)合設(shè)�(jì)。其封裝形式通常為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)類型,便于安裝和散熱管理�
最大漏源電壓:120V
連續(xù)漏極電流�10A
�(dǎo)通電阻:4.5mΩ
柵極電荷::超快
工作溫度范圍�-55� � 150�
GA1210H563JBXAT31G 的核心優(yōu)�(shì)在于其出色的電氣性能與可靠�。以下是詳細(xì)特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有效減少傳導(dǎo)損�,提升整體效��
2. 快速的�(kāi)�(guān)速度,支持高頻操作,滿足�(xiàn)代電源系�(tǒng)的需��
3. 高度�(yōu)化的熱性能,確保在高溫�(huán)境下依然保持�(wěn)定運(yùn)��
4. �(nèi)置保�(hù)功能,如�(guò)流保�(hù)和短路耐受能力,增�(qiáng)了產(chǎn)品的魯棒��
5. 符合RoHS�(huán)保標(biāo)�(zhǔn),適合綠色電子產(chǎn)品開(kāi)�(fā)�
此外,這款器件還具備優(yōu)秀的抗電磁干擾能力以及卓越的動(dòng)�(tài)響應(yīng)特�,使其成為復(fù)雜電子電路的理想選擇�
該芯片適用于多種工業(yè)及消�(fèi)類電子設(shè)備中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流器�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率開(kāi)�(guān)組件�
3. 電動(dòng)工具和家用電器內(nèi)的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
4. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換和保護(hù)模塊�
5. 光伏逆變器以及其他可再生能源相關(guān)�(shè)��
憑借其�(qiáng)大的性能指標(biāo),GA1210H563JBXAT31G 在需要高效能量轉(zhuǎn)換和控制的應(yīng)用場(chǎng)景下表現(xiàn)出色�
IRFZ44N, STP10NK06Z, FDP18N12