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GA1210H563KBAAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/9 15:40:02 查看 閱讀�3

GA1210H563KBAAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高效率和低功耗應(yīng)用設(shè)�(jì)。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)動、DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)��
  該器件具備出色的熱性能和電氣性能,能夠在高負(fù)載條件下保持�(wěn)定運(yùn)�。同�(shí),它還支持多種保�(hù)功能,例如過流保�(hù)和短路保�(hù),從而提高了系統(tǒng)的可靠性和安全��

參數(shù)

類型:MOSFET
  封裝:TO-247
  最大漏源電�(Vds)�1200V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  最大漏極電�(Id)�20A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�0.05Ω
  功�(Ptot)�200W
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

GA1210H563KBAAT31G 的主要特性包括:
  1. 高耐壓能力:支持高�(dá) 1200V 的漏源電�,適用于高壓�(yīng)用場景�
  2. 低導(dǎo)通電阻:僅為 0.05Ω,能夠有效降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  3. 快速開�(guān)性能:具備較小的柵極電荷和輸出電容,�??焖俚拈_�(guān)速度�
  4. �(qiáng)大的散熱能力:采� TO-247 封裝,可有效散發(fā)熱量,提升長期可靠��
  5. 多重保護(hù)�(jī)制:�(nèi)置過流保�(hù)和短路保�(hù)功能,防止異常情況下對器件造成損壞�
  6. 寬溫度范圍:能夠� -55� � +175� 的溫度范圍內(nèi)�(wěn)定工作,適應(yīng)各種惡劣�(huán)��

�(yīng)�

該芯片適用于以下�(lǐng)域:
  1. 工業(yè)�(shè)備:如變頻器、伺服驅(qū)動器等需要高效率功率�(zhuǎn)換的�(yīng)��
  2. 電動汽車:用于車載充電器、逆變器以及電池管理系�(tǒng)�
  3. 可再生能源:如太陽能逆變�、風(fēng)能發(fā)電系�(tǒng)中的功率�(diào)節(jié)模塊�
  4. 通信電源:提供高效可靠的直流電源�(zhuǎn)換解決方��
  5. 消費(fèi)電子:如筆記本電腦適配器、家用電器中的電源部��

替代型號

GA1210H563KBAAQ21G, IRFP260N, STP12NM60

ga1210h563kbaat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.056 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-