GA1210H563KBAAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高效率和低功耗應(yīng)用設(shè)�(jì)。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)動、DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)��
該器件具備出色的熱性能和電氣性能,能夠在高負(fù)載條件下保持�(wěn)定運(yùn)�。同�(shí),它還支持多種保�(hù)功能,例如過流保�(hù)和短路保�(hù),從而提高了系統(tǒng)的可靠性和安全��
類型:MOSFET
封裝:TO-247
最大漏源電�(Vds)�1200V
最大柵源電�(Vgs):�20V
最大漏極電�(Id)�20A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�0.05Ω
功�(Ptot)�200W
工作溫度范圍�-55� � +175�
GA1210H563KBAAT31G 的主要特性包括:
1. 高耐壓能力:支持高�(dá) 1200V 的漏源電�,適用于高壓�(yīng)用場景�
2. 低導(dǎo)通電阻:僅為 0.05Ω,能夠有效降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)性能:具備較小的柵極電荷和輸出電容,�??焖俚拈_�(guān)速度�
4. �(qiáng)大的散熱能力:采� TO-247 封裝,可有效散發(fā)熱量,提升長期可靠��
5. 多重保護(hù)�(jī)制:�(nèi)置過流保�(hù)和短路保�(hù)功能,防止異常情況下對器件造成損壞�
6. 寬溫度范圍:能夠� -55� � +175� 的溫度范圍內(nèi)�(wěn)定工作,適應(yīng)各種惡劣�(huán)��
該芯片適用于以下�(lǐng)域:
1. 工業(yè)�(shè)備:如變頻器、伺服驅(qū)動器等需要高效率功率�(zhuǎn)換的�(yīng)��
2. 電動汽車:用于車載充電器、逆變器以及電池管理系�(tǒng)�
3. 可再生能源:如太陽能逆變�、風(fēng)能發(fā)電系�(tǒng)中的功率�(diào)節(jié)模塊�
4. 通信電源:提供高效可靠的直流電源�(zhuǎn)換解決方��
5. 消費(fèi)電子:如筆記本電腦適配器、家用電器中的電源部��
GA1210H563KBAAQ21G, IRFP260N, STP12NM60