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GA1210H563KBXAT31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/30 15:22:54 查看 閱讀�14

GA1210H563KBXAT31G 是一款高性能的存儲芯�,屬� NAND Flash 存儲器系�。該芯片主要應用于需要大容量�(shù)�(jù)存儲的設備中,例如固�(tài)硬盤 (SSD)、USB 閃存盤和嵌入式存儲解決方案�
  該型號采用先進的制程工藝制�,具有高可靠性和低功耗的特點。其設計�(yōu)化了讀寫速度和耐用�,適用于消費級和工業(yè)級應��

參數(shù)

類型:NAND Flash
  容量�128GB
  接口:Toggle Mode 2.0
  工作電壓�1.8V
  封裝形式:BGA
  �(shù)�(jù)保留時間:大�10�
  擦寫壽命�3000�
  讀取速度:最�400MB/s
  寫入速度:最�200MB/s

特�

GA1210H563KBXAT31G 具備以下�(guān)鍵特性:
  1. 高性能:采� Toggle Mode 2.0 接口,顯著提升數(shù)�(jù)傳輸速率�
  2. 大容量:單顆芯片提供高達 128GB 的存儲空間�
  3. 低功耗:在待機和工作模式下均保持較低的能耗水��
  4. 可靠性:�(jīng)過嚴格測試,確保在多種環(huán)境條件下�(wěn)定運��
  5. 兼容性強:支持主流的控制器方案,便于集成到各種系�(tǒng)��

應用

該芯片廣泛應用于以下領域�
  1. 固態(tài)硬盤 (SSD)
  2. USB 閃存�
  3. 嵌入式存儲設�
  4. 工業(yè)控制設備
  5. 消費類電子產(chǎn)品的�(shù)�(jù)存儲模塊
  GA1210H563KBXAT31G 憑借其大容�、高速度和高可靠�,成為眾多存儲解決方案的理想選擇�

替代型號

GA1210H512KBXAT31G, GA1210H256KBXAT31G

ga1210h563kbxat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.056 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-