GA1210H563KBXAT31G 是一款高性能的存儲芯�,屬� NAND Flash 存儲器系�。該芯片主要應用于需要大容量�(shù)�(jù)存儲的設備中,例如固�(tài)硬盤 (SSD)、USB 閃存盤和嵌入式存儲解決方案�
該型號采用先進的制程工藝制�,具有高可靠性和低功耗的特點。其設計�(yōu)化了讀寫速度和耐用�,適用于消費級和工業(yè)級應��
類型:NAND Flash
容量�128GB
接口:Toggle Mode 2.0
工作電壓�1.8V
封裝形式:BGA
�(shù)�(jù)保留時間:大�10�
擦寫壽命�3000�
讀取速度:最�400MB/s
寫入速度:最�200MB/s
GA1210H563KBXAT31G 具備以下�(guān)鍵特性:
1. 高性能:采� Toggle Mode 2.0 接口,顯著提升數(shù)�(jù)傳輸速率�
2. 大容量:單顆芯片提供高達 128GB 的存儲空間�
3. 低功耗:在待機和工作模式下均保持較低的能耗水��
4. 可靠性:�(jīng)過嚴格測試,確保在多種環(huán)境條件下�(wěn)定運��
5. 兼容性強:支持主流的控制器方案,便于集成到各種系�(tǒng)��
該芯片廣泛應用于以下領域�
1. 固態(tài)硬盤 (SSD)
2. USB 閃存�
3. 嵌入式存儲設�
4. 工業(yè)控制設備
5. 消費類電子產(chǎn)品的�(shù)�(jù)存儲模塊
GA1210H563KBXAT31G 憑借其大容�、高速度和高可靠�,成為眾多存儲解決方案的理想選擇�
GA1210H512KBXAT31G, GA1210H256KBXAT31G