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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1210H563MXXAT31G

GA1210H563MXXAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/19 8:36:21 查看 閱讀�19

GA1210H563MXXAT31G 是一款高性能的存�(chǔ)芯片,主要用于大容量�(shù)�(jù)存儲(chǔ)和讀取任�(wù)。該型號(hào)屬于 NAND Flash 類型,基� 3D TLC 技�(shù)架構(gòu),具有高密度、高速度以及低功耗的特點(diǎn)。其�(shè)�(jì)廣泛�(yīng)用于固態(tài)硬盤(SSD�、嵌入式存儲(chǔ)�(shè)�、工�(yè)�(jí)存儲(chǔ)解決方案等領(lǐng)��
  此款芯片支持多接口協(xié)�,包� ONFI � Toggle 模式,具備強(qiáng)大的�(cuò)誤糾正能力(ECC)以保證�(shù)�(jù)可靠�。同�(shí),它也集成了多種安全功能,如端到端數(shù)�(jù)保護(hù)和加密技�(shù),確保數(shù)�(jù)傳輸?shù)陌踩浴?/p>

參數(shù)

類型:NAND Flash
  工藝�1TB
  接口:ONFI 4.0, Toggle 3.0
  工作電壓�2.7V - 3.6V
  �(shù)�(jù)傳輸速率:最�533MT/s
  擦寫壽命:約3000�
  工作溫度范圍�-40� � +85�
  封裝形式:BGA
  I/O接口電壓�1.8V

特�

GA1210H563MXXAT31G 提供了卓越的�(shù)�(jù)存儲(chǔ)性能,采用先�(jìn)� 3D TLC 技�(shù),相比傳�(tǒng)平面 NAND 芯片顯著提高了存�(chǔ)密度并降低了單位成本�
  其支持高速接口協(xié)議,能夠?qū)崿F(xiàn)更快的數(shù)�(jù)讀寫速度,適合需要快速響�(yīng)的應(yīng)用場(chǎng)景�
  芯片�(nèi)置了�(qiáng)大的 ECC 引擎,可有效檢測(cè)和糾正位�(cuò)�,從而提升數(shù)�(jù)的可靠性�
  此外,這款芯片還具備較低的工作功耗,在待�(jī)模式下�(jìn)一步優(yōu)化了能源效率,非常適合對(duì)功耗敏感的�(shè)�(jì)�
  在安全性方面,該芯片支� AES 加密算法,并提供硬件�(jí)別的�(shù)�(jù)保護(hù)措施,保障用戶數(shù)�(jù)的私密性和完整��
  它還擁有寬泛的工作溫度范圍,能夠在惡劣環(huán)境下保持�(wěn)定的�(yùn)行表�(xiàn)�

�(yīng)�

GA1210H563MXXAT31G 廣泛用于消費(fèi)電子�(lǐng)域中的高性能存儲(chǔ)�(chǎn)�,例如筆記本電腦和臺(tái)式機(jī)� SSD、移�(dòng)存儲(chǔ)�(shè)備等�
  在企�(yè)�(jí)市場(chǎng)中,該芯片被集成到服�(wù)器和�(shù)�(jù)中心使用的存�(chǔ)陣列�,提供可靠的大容量數(shù)�(jù)存儲(chǔ)解決方案�
  此外,它也適用于工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�、醫(yī)療儀�、車載系�(tǒng)以及其他需要長(zhǎng)�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行的嵌入式系�(tǒng)��

替代型號(hào)

GA1210H563MXXAT31F
  GA1210H563MXXBT31G

ga1210h563mxxat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.056 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-