GA1210H563MXXAT31G 是一款高性能的存�(chǔ)芯片,主要用于大容量�(shù)�(jù)存儲(chǔ)和讀取任�(wù)。該型號(hào)屬于 NAND Flash 類型,基� 3D TLC 技�(shù)架構(gòu),具有高密度、高速度以及低功耗的特點(diǎn)。其�(shè)�(jì)廣泛�(yīng)用于固態(tài)硬盤(SSD�、嵌入式存儲(chǔ)�(shè)�、工�(yè)�(jí)存儲(chǔ)解決方案等領(lǐng)��
此款芯片支持多接口協(xié)�,包� ONFI � Toggle 模式,具備強(qiáng)大的�(cuò)誤糾正能力(ECC)以保證�(shù)�(jù)可靠�。同�(shí),它也集成了多種安全功能,如端到端數(shù)�(jù)保護(hù)和加密技�(shù),確保數(shù)�(jù)傳輸?shù)陌踩浴?/p>
類型:NAND Flash
工藝�1TB
接口:ONFI 4.0, Toggle 3.0
工作電壓�2.7V - 3.6V
�(shù)�(jù)傳輸速率:最�533MT/s
擦寫壽命:約3000�
工作溫度范圍�-40� � +85�
封裝形式:BGA
I/O接口電壓�1.8V
GA1210H563MXXAT31G 提供了卓越的�(shù)�(jù)存儲(chǔ)性能,采用先�(jìn)� 3D TLC 技�(shù),相比傳�(tǒng)平面 NAND 芯片顯著提高了存�(chǔ)密度并降低了單位成本�
其支持高速接口協(xié)議,能夠?qū)崿F(xiàn)更快的數(shù)�(jù)讀寫速度,適合需要快速響�(yīng)的應(yīng)用場(chǎng)景�
芯片�(nèi)置了�(qiáng)大的 ECC 引擎,可有效檢測(cè)和糾正位�(cuò)�,從而提升數(shù)�(jù)的可靠性�
此外,這款芯片還具備較低的工作功耗,在待�(jī)模式下�(jìn)一步優(yōu)化了能源效率,非常適合對(duì)功耗敏感的�(shè)�(jì)�
在安全性方面,該芯片支� AES 加密算法,并提供硬件�(jí)別的�(shù)�(jù)保護(hù)措施,保障用戶數(shù)�(jù)的私密性和完整��
它還擁有寬泛的工作溫度范圍,能夠在惡劣環(huán)境下保持�(wěn)定的�(yùn)行表�(xiàn)�
GA1210H563MXXAT31G 廣泛用于消費(fèi)電子�(lǐng)域中的高性能存儲(chǔ)�(chǎn)�,例如筆記本電腦和臺(tái)式機(jī)� SSD、移�(dòng)存儲(chǔ)�(shè)備等�
在企�(yè)�(jí)市場(chǎng)中,該芯片被集成到服�(wù)器和�(shù)�(jù)中心使用的存�(chǔ)陣列�,提供可靠的大容量數(shù)�(jù)存儲(chǔ)解決方案�
此外,它也適用于工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�、醫(yī)療儀�、車載系�(tǒng)以及其他需要長(zhǎng)�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行的嵌入式系�(tǒng)��
GA1210H563MXXAT31F
GA1210H563MXXBT31G