GA1210H683JXXAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機�(qū)動等應用領域。該器件采用了先進的制造工藝,在保證高效率的同時具備出色的熱性能和電氣特�。其設計旨在滿足�(xiàn)代電子設備對小型�、高效化和可靠性的需��
型號:GA1210H683JXXAR31G
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵極源極電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�40A
導通電�(Rds(on))�3mΩ(典型�,Vgs=10V時)
功�(Ptot)�75W
�(jié)溫范�(Tj)�-55℃至+175�
封裝形式:TO-247-3L
GA1210H683JXXAR31G 的主要特點是低導通電阻和快速開�(guān)能力。低Rds(on)可顯著降低導通損�,從而提升整體系�(tǒng)效率�
此外,該器件具有較低的輸入電容和輸出電容,有助于減少開關(guān)損耗并�(yōu)化動�(tài)性能。其堅固的設計確保了在惡劣環(huán)境下的可靠�,并支持長期�(wěn)定運行�
同時,它還具備強大的雪崩能力和短路耐受能力,能夠保護電路免受異常工況的影響。這些�(yōu)勢使得該器件非常適合用于高功率密度的應用場景�
這款功率MOSFET廣泛應用于各類電力電子設備中,包括但不限于:
1. 高頻開關(guān)電源(SMPS)
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機�(qū)動與控制
4. 太陽能逆變�
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)
6. 工業(yè)自動化及家電�(chǎn)品中的功率轉(zhuǎn)換模�
由于其出色的性能,該器件特別適合需要高效率、高可靠性和快速響應的應用場合�
GA1210H683JXXBR31G
IRF840
FQP17N06