GA1210H823JBAAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器等�(lǐng)�。該芯片采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和良好的熱性能等特�(diǎn),能夠有效提高系�(tǒng)的效率和可靠性�
這款器件支持高頻操作,并能夠在嚴(yán)苛的工作�(huán)境下保持�(wěn)定性能,非常適合需要高效能量轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)��
類型:MOSFET
封裝:TO-247
Vds(漏源極電壓):1200V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�30mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):31A
Qg(柵極電荷)�95nC
Ciss(輸入電容)�3020pF
Bvdss(擊穿電壓)�1200V
Tj(結(jié)溫范圍)�-55� to 175�
GA1210H823JBAAR31G 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少�(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 高耐壓能力,最高支� 1200V 漏源極電壓,適用于高壓應(yīng)用環(huán)��
3. 快速開�(guān)性能,具有較低的柵極電荷 (Qg),可以實(shí)�(xiàn)高頻工作�
4. 出色的熱性能�(shè)�(jì),確保在高功率應(yīng)用場(chǎng)景中的長(zhǎng)期穩(wěn)定��
5. 具備�(qiáng)大的抗浪涌能力和魯棒�,能夠在惡劣條件下正常運(yùn)��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合各種工業(yè)需��
該芯片廣泛用于多種電力電子設(shè)備中,例如:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
2. 太陽(yáng)能逆變�
3. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)
4. 電動(dòng)車輛控制�
5. 不間斷電源(UPS�
6. LED �(qū)�(dòng)電路
7. 各類高頻功率�(zhuǎn)換器