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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1210H823JBAAR31G

GA1210H823JBAAR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 19:35:09 查看 閱讀�6

GA1210H823JBAAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器等�(lǐng)�。該芯片采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和良好的熱性能等特�(diǎn),能夠有效提高系�(tǒng)的效率和可靠性�
  這款器件支持高頻操作,并能夠在嚴(yán)苛的工作�(huán)境下保持�(wěn)定性能,非常適合需要高效能量轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)��

參數(shù)

類型:MOSFET
  封裝:TO-247
  Vds(漏源極電壓):1200V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�30mΩ
  Id(連續(xù)漏極電流):31A
  Qg(柵極電荷)�95nC
  Ciss(輸入電容)�3020pF
  Bvdss(擊穿電壓)�1200V
  Tj(結(jié)溫范圍)�-55� to 175�

特�

GA1210H823JBAAR31G 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少�(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率�
  2. 高耐壓能力,最高支� 1200V 漏源極電壓,適用于高壓應(yīng)用環(huán)��
  3. 快速開�(guān)性能,具有較低的柵極電荷 (Qg),可以實(shí)�(xiàn)高頻工作�
  4. 出色的熱性能�(shè)�(jì),確保在高功率應(yīng)用場(chǎng)景中的長(zhǎng)期穩(wěn)定��
  5. 具備�(qiáng)大的抗浪涌能力和魯棒�,能夠在惡劣條件下正常運(yùn)��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合各種工業(yè)需��

�(yīng)�

該芯片廣泛用于多種電力電子設(shè)備中,例如:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
  2. 太陽(yáng)能逆變�
  3. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)
  4. 電動(dòng)車輛控制�
  5. 不間斷電源(UPS�
  6. LED �(qū)�(dòng)電路
  7. 各類高頻功率�(zhuǎn)換器

ga1210h823jbaar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.082 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-