GA1210H823JBAAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等應(yīng)用領(lǐng)�。該芯片采用了先�(jìn)的溝槽式MOSFET技�(shù),具備低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高效率并降低功耗�
該型�(hào)屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、汽車電子以及消�(fèi)類電子產(chǎn)品中。其封裝形式通常為表面貼裝類�,適合自�(dòng)化生�(chǎn)�
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�15A
�(dǎo)通電阻:2.5mΩ
柵極電荷�45nC
開關(guān)�(shí)間:ton=12ns, toff=25ns
�(jié)溫范圍:-55℃至175�
GA1210H823JBAAT31G 具有以下主要特性:
1. 采用溝槽式結(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),有效降低了�(dǎo)通電阻,提高了效��
2. 高速開�(guān)性能,能夠適�(yīng)高頻�(yīng)用環(huán)��
3. 超低的柵極電�,減少了�(qū)�(dòng)損��
4. 支持高溫工作,具備出色的熱穩(wěn)定��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛工��
6. 封裝小巧,便于集成到緊湊型設(shè)�(jì)��
7. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的可靠性�
這款芯片適用于多種電力電子應(yīng)�,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率元��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
4. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)�
5. LED�(qū)�(dòng)器中的功率管��
6. 各種便攜式設(shè)備的電池管理系統(tǒng)(BMS)�
由于其高效的特性和寬廣的工作溫度范�,該芯片在高可靠性和高效率要求的�(yīng)用中表現(xiàn)尤為突出�
IRF3205
FDP5800
AON6710