類(lèi)型：功率 MOSFET
　　封裝：TO-263 (D2PAK)
　　Vds（漏源電壓）：120V
　　Rds(on)（導(dǎo)通電阻）：8.2mΩ
　　Id（連續(xù)漏極電流）：50A
　　Qg（柵極電荷）：49nC
　　BVDSS（擊穿電壓）：120V
　　Tj（結(jié)溫范圍）：-55℃ 至 175℃
　　輸入電容：2140pF
　　總柵極電荷：49nC

GA1210H823MBAAR31G 具有以下顯著特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），有助于減少導(dǎo)通損耗，提升整體系統(tǒng)效率。
　　2. 快速開(kāi)關(guān)能力，支持高頻操作，適用于開(kāi)關(guān)電源和逆變器等應(yīng)用。
　　3. 高額定電流與耐壓能力，確保在高壓或大電流環(huán)境下的可靠運(yùn)行。
　　4. 出色的熱性能，能夠有效降低器件溫度并延長(zhǎng)使用壽命。
　　5. 提供強(qiáng)大的 ESD 保護(hù)功能，增強(qiáng)抗干擾能力。
　　6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且適合全球市場(chǎng)使用。

該芯片廣泛應(yīng)用于各種高功率電子設(shè)備中，包括但不限于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）中的主開(kāi)關(guān)管。
　　2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，用于控制直流無(wú)刷電機(jī)或步進(jìn)電機(jī)。
　　3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
　　4. 電動(dòng)汽車(chē)充電裝置和電池管理系統(tǒng)。
　　5. LED 照明驅(qū)動(dòng)電路，提供高效的功率調(diào)節(jié)。
　　6. 太陽(yáng)能逆變器以及其他新能源相關(guān)產(chǎn)品。

IRFZ44N, FQP50N06L, AO3400