型號(hào)：GA1210Y123JBBAT31G
　　工藝：GaAs HEMT
　　頻率范圍：800 MHz 至 2.7 GHz
　　增益：15 dB
　　輸出功率（1 dB 壓縮點(diǎn)）：28 dBm
　　飽和輸出功率：32 dBm
　　電源電壓：5 V
　　靜態(tài)電流：300 mA
　　封裝形式-40°C 至 +85°C

GA1210Y123JBBAT31G 具有以下主要特點(diǎn)：
　　1. 高效率：在寬帶范圍內(nèi)能夠維持較高的功率附加效率 (PAE)，從而降低功耗。
　　2. 穩(wěn)定性強(qiáng)：內(nèi)置匹配網(wǎng)絡(luò)，減少外部元件需求，同時(shí)提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
　　3. 寬帶操作：支持從 800 MHz 到 2.7 GHz 的寬頻帶操作，使其適用于多種通信標(biāo)準(zhǔn)。
　　4. 低失真：優(yōu)秀的線性性能，特別適合多載波和復(fù)雜的調(diào)制方式。
　　5. 小型化設(shè)計(jì)：采用緊湊型 QFN 封裝，便于在有限空間內(nèi)集成到電路板中。

該芯片主要用于以下應(yīng)用場(chǎng)景：
　　1. 基站功率放大器：
　　 - 包括 GSM、WCDMA 和 LTE 等移動(dòng)通信系統(tǒng)。
　　2. 固定無線接入：
　　 - 如 WiMAX 和微波回傳鏈路。
　　3. 測(cè)試與測(cè)量設(shè)備：
　　 - 提供穩(wěn)定的信號(hào)源以確保測(cè)試精度。
　　4. 衛(wèi)星通信：
　　 - 在地面終端中用作上行鏈路的功率放大組件。

GA1210Y123JBBAT32H, GA1210Y123JBBAT33K