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GA1210Y123MBEAT31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/29 13:16:37 查看 閱讀:12

GA1210Y123MBEAT31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,主要應(yīng)用于高頻開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及各種功率管理場(chǎng)景。該芯片采用先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝制造,具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性,能夠顯著提高效率并降低功耗。
  其封裝形式為T(mén)O-263(D2PAK),適合表面貼裝技術(shù)(SMT),具備出色的散熱性能和可靠性,適用于工業(yè)級(jí)及消費(fèi)級(jí)電子設(shè)備。

參數(shù)

型號(hào):GA1210Y123MBEAT31G
  類型:N溝道MOSFET
  Vds(漏源極電壓):120V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻):8.5mΩ(典型值,在Vgs=10V時(shí))
  Id(持續(xù)漏電流):100A
  Qg(柵極電荷量):45nC(典型值)
  EAS(雪崩能量):1.5J
  工作溫度范圍:-55℃至+175℃
  封裝形式:TO-263(D2PAK)

特性

GA1210Y123MBEAT31G具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),可有效降低傳導(dǎo)損耗,提升整體系統(tǒng)效率。
  2. 快速的開(kāi)關(guān)速度和低柵極電荷量Qg,有助于減少開(kāi)關(guān)損耗。
  3. 高額定電流能力,支持大功率應(yīng)用需求。
  4. 優(yōu)秀的熱性能,通過(guò)TO-263封裝提供高效的散熱路徑。
  5. 具備較高的雪崩擊穿能量(EAS),增強(qiáng)器件在異常情況下的魯棒性。
  6. 廣泛的工作溫度范圍使其能夠在極端環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
  這些特性使得該器件非常適合于需要高效功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場(chǎng)景。

應(yīng)用

GA1210Y123MBEAT31G廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)設(shè)計(jì)中的功率級(jí)開(kāi)關(guān)。
  2. 各類DC-DC轉(zhuǎn)換器中作為主開(kāi)關(guān)或同步整流元件。
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率開(kāi)關(guān)。
  4. 太陽(yáng)能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制開(kāi)關(guān)。
  6. 汽車(chē)電子設(shè)備中的負(fù)載切換和電源管理。
  憑借其優(yōu)異的性能表現(xiàn),該芯片是眾多高功率密度設(shè)計(jì)的理想選擇。

替代型號(hào)

IRFP2907ZPBF, FDP16N120AQ, STW15NM120DH5

ga1210y123mbeat31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容0.012 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車(chē)級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-