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GA1210Y123MBEAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/29 13:16:37 查看 閱讀�12

GA1210Y123MBEAT31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,主要應(yīng)用于高頻�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各種功率管理�(chǎng)�。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制造,具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,能夠顯著提高效率并降低功��
  其封裝形式為T(mén)O-263(D2PAK),適合表面貼裝技�(shù)(SMT�,具備出色的散熱性能和可靠性,適用于工�(yè)�(jí)及消�(fèi)�(jí)電子�(shè)��

參數(shù)

型號(hào):GA1210Y123MBEAT31G
  類型:N溝道MOSFET
  Vds(漏源極電壓):120V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�8.5mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
  Id(持�(xù)漏電流)�100A
  Qg(柵極電荷量):45nC(典型值)
  EAS(雪崩能量)�1.5J
  工作溫度范圍�-55℃至+175�
  封裝形式:TO-263(D2PAK�

特�

GA1210Y123MBEAT31G具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),可有效降低傳導(dǎo)損耗,提升整體系統(tǒng)效率�
  2. 快速的�(kāi)�(guān)速度和低柵極電荷量Qg,有助于減少�(kāi)�(guān)損��
  3. 高額定電流能�,支持大功率�(yīng)用需��
  4. �(yōu)秀的熱性能,通過(guò)TO-263封裝提供高效的散熱路��
  5. 具備較高的雪崩擊穿能量(EAS�,增�(qiáng)器件在異常情況下的魯棒��
  6. 廣泛的工作溫度范圍使其能夠在極端�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
  這些特性使得該器件非常適合于需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)��

�(yīng)�

GA1210Y123MBEAT31G廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì)中的功率�(jí)�(kāi)�(guān)�
  2. 各類DC-DC�(zhuǎn)換器中作為主�(kāi)�(guān)或同步整流元��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(kāi)�(guān)�
  4. 太陽(yáng)能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換模��
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制�(kāi)�(guān)�
  6. 汽車(chē)電子�(shè)備中的負(fù)載切換和電源管理�
  憑借其�(yōu)異的性能表現(xiàn),該芯片是眾多高功率密度�(shè)�(jì)的理想選��

替代型號(hào)

IRFP2907ZPBF, FDP16N120AQ, STW15NM120DH5

ga1210y123mbeat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.012 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-