GA1210Y123MBEAT31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,主要應(yīng)用于高頻�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各種功率管理�(chǎng)�。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制造,具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,能夠顯著提高效率并降低功��
其封裝形式為T(mén)O-263(D2PAK),適合表面貼裝技�(shù)(SMT�,具備出色的散熱性能和可靠性,適用于工�(yè)�(jí)及消�(fèi)�(jí)電子�(shè)��
型號(hào):GA1210Y123MBEAT31G
類型:N溝道MOSFET
Vds(漏源極電壓):120V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�8.5mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
Id(持�(xù)漏電流)�100A
Qg(柵極電荷量):45nC(典型值)
EAS(雪崩能量)�1.5J
工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝形式:TO-263(D2PAK�
GA1210Y123MBEAT31G具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),可有效降低傳導(dǎo)損耗,提升整體系統(tǒng)效率�
2. 快速的�(kāi)�(guān)速度和低柵極電荷量Qg,有助于減少�(kāi)�(guān)損��
3. 高額定電流能�,支持大功率�(yīng)用需��
4. �(yōu)秀的熱性能,通過(guò)TO-263封裝提供高效的散熱路��
5. 具備較高的雪崩擊穿能量(EAS�,增�(qiáng)器件在異常情況下的魯棒��
6. 廣泛的工作溫度范圍使其能夠在極端�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
這些特性使得該器件非常適合于需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)��
GA1210Y123MBEAT31G廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì)中的功率�(jí)�(kāi)�(guān)�
2. 各類DC-DC�(zhuǎn)換器中作為主�(kāi)�(guān)或同步整流元��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(kāi)�(guān)�
4. 太陽(yáng)能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換模��
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制�(kāi)�(guān)�
6. 汽車(chē)電子�(shè)備中的負(fù)載切換和電源管理�
憑借其�(yōu)異的性能表現(xiàn),該芯片是眾多高功率密度�(shè)�(jì)的理想選��
IRFP2907ZPBF, FDP16N120AQ, STW15NM120DH5